[发明专利]固体摄像器件、固体摄像器件制造方法以及电子装置

权利要求书

1.一种固体摄像器件，其包括：

半导体层；

绝缘材料，它处于穿透所述半导体层的开口中；以及

保护膜，它具有耐蚀刻性，并覆盖着所述绝缘材料的位于所述半导体层内侧的一端部。

2.根据权利要求1所述的固体摄像器件，其中所述半导体层设有像素区域。

3.根据权利要求2所述的固体摄像器件，其中：

所述开口位于所述半导体层的对准区域中，并且

所述半导体层设有位于所述对准区域与所述像素区域之间的元件隔离区域。

4.根据权利要求3所述的固体摄像器件，其中所述保护膜位于所述半导体层内的在所述开口的所述端部处的凹槽中。

5.根据权利要求3所述的固体摄像器件，还包括：

在所述元件隔离区域中的杂质扩散层；以及

形成于所述扩散层上的绝缘膜。

6.根据权利要求2所述的固体摄像器件，还包括：

承载于所述半导体层上的多层布线层；

在所述半导体层的所述像素区域之外位于所述多层布线层内的电极焊盘；以及

穿过所述半导体层和所述多层布线层并使所述电极焊盘露出的电极焊盘开口。

7.根据权利要求3所述的固体摄像器件，还包括：在所述像素区域内的所述半导体层中的多个光电二极管。

8.根据权利要求7所述的固体摄像器件，还包括位于所述像素区域内的每个所述光电二极管上方的片上透镜。

9.根据权利要求8所述的固体摄像器件，还包括：每个所述片上透镜与每个所述光电二极管之间的滤色器。

10.根据权利要求4所述的固体摄像器件，其中所述绝缘材料和所述保护膜由相同的材料制成。

11.根据权利要求1所述的固体摄像器件，其中所述绝缘材料含有氮化硅。

12.一种固体摄像器件制造方法，其包括如下步骤：

形成穿透半导体层的开口；

用绝缘材料填充所述开口；并且

在所述开口的位于所述半导体层内侧的一端部处，形成具有耐蚀刻性的保护膜。

13.根据权利要求12所述的方法，其中所述半导体层设有像素区域。

14.根据权利要求12所述的方法，其中：

所述开口形成在所述半导体层的对准区域中，并且

所述半导体层设有位于所述对准区域与所述像素区域之间的元件隔离区域。

15.根据权利要求14所述的方法，还包括如下步骤：

在形成所述保护膜的步骤之前，在所述半导体层中形成凹槽，所述凹槽处于所述开口的位于所述半导体层内侧的所述端部处，

其中，形成所述保护膜的步骤包括：在所述凹槽中形成绝缘膜。

16.根据权利要求14所述的方法，还包括如下步骤：

在所述元件隔离区域内形成杂质扩散层；并且

在所述扩散层上形成绝缘膜。

17.根据权利要求13所述的方法，还包括如下步骤：

在所述半导体层上形成多层布线层；

在所述半导体层的所述像素区域之外在所述多层布线层中形成电极焊盘；并且

在所述半导体层中形成使所述电极焊盘露出的电极焊盘开口。

18.根据权利要求14所述的方法，还包括如下步骤：在所述像素区域内的所述半导体层中形成多个光电二极管。

19.根据权利要求18所述的方法，还包括如下步骤：在所述像素区域内的每个所述光电二极管上方形成片上透镜。

20.根据权利要求19所述的方法，还包括如下步骤：在每个所述片上透镜与每个所述光电二极管之间形成滤色器。

21.根据权利要求15所述的方法，其中所述绝缘材料和所述保护膜由相同的材料制成。

22.根据权利要求15所述的方法，其中在所述绝缘材料上形成所述保护膜，以使所述绝缘材料在蚀刻后保持原样。