[发明专利]壳体及其制造方法

权利要求书

1.一种壳体，包括镁或镁合金基体及形成于该镁或镁合金基体上的颜色层，其特征在于：该颜色层为具有防腐蚀性能的电绝缘层，该壳体还包括形成于所述镁或镁合金基体与颜色层之间的硅化镁层。

2.如权利要求1所述的壳体，其特征在于：所述硅化镁层的厚度为300～1000nm。

3.如权利要求1所述的壳体，其特征在于：所述颜色层包括依次形成于硅化镁层上的二氧化钛层及二氧化硅层。

4.如权利要求3所述的壳体，其特征在于：二氧化钛层的厚度为50～150nm，所述二氧化硅层的厚度为50～150nm。

5.如权利要求1所述的壳体，其特征在于：所述硅化镁层及颜色层以磁控溅射镀膜法、电弧离子镀膜法或蒸发镀膜法形成。

6.一种壳体的制造方法，包括以下步骤：

提供镁或镁合金基体；

于该镁或镁合金基体上磁控溅射形成硅化镁层；

于该硅化镁层上磁控溅射形成颜色层，该颜色层为具有防腐蚀性能的电绝缘层。

7.如权利要求6所述的壳体的制造方法，其特征在于：磁控溅射所述硅化镁层以如下方式实现：以氩气为工作气体，其流量为150～300sccm，设置占空比为30％～70％，于镁或镁合金基体上施加-50～-300V的偏压，以硅化镁靶为靶材，设置其电源功率为5～10kw，溅射温度为50～150℃，溅射时间为30～120min。

8.如权利要求6所述的壳体的制造方法，其特征在于：磁控溅射所述颜色层包括依次溅射二氧化钛层及二氧化硅层的步骤。

9.如权利要求8所述的壳体的制造方法，其特征在于：磁控溅射形成所述二氧化钛层以如下方式实现：以氩气为工作气体，其流量为150～300sccm，以氧气为反应气体，其流量为10～80sccm，于镁或镁合金基体施加-50～-180V的偏压，以钛靶为靶材，设置其电源功率为5～10kw，溅射温度为50～150℃，溅射时间为2～30min。

10.如权利要求9所述的壳体的制造方法，其特征在于：磁控溅射形成所述二氧化硅层以如下方式实现：以氩气为工作气体，其流量为150～300sccm，以氧气为反应气体，其流量为10～80sccm，于镁或镁合金基体施加-50～-180V的偏压，以硅靶为靶材，设置其电源功率为5～10kw，溅射温度为50～150℃，溅射时间为2～30min。