[发明专利]转印膜结构无效
| 申请号: | 201010553124.4 | 申请日: | 2010-11-22 |
| 公开(公告)号: | CN102059871A | 公开(公告)日: | 2011-05-18 |
| 发明(设计)人: | 曾水泉 | 申请(专利权)人: | 琨诘电子(昆山)有限公司 |
| 主分类号: | B41M5/00 | 分类号: | B41M5/00;B32B27/06;B44C5/04 |
| 代理公司: | 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 | 代理人: | 董建林;王寿刚 |
| 地址: | 215321 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 膜结构 | ||
技术领域
本发明涉及一种转印膜结构,尤其是涉及一种在饰纹层与黏着膜层之间设有硬化膜层的转印膜结构。
背景技术
随着人们对生活品质的提高,产品外观的设计成为了影响消费行为的重要因素,具备独特构图设计与时尚质感的产品往往自能够得到较多青睐。模内装饰(IMD,In-mold decoration)是一项新型塑料加工技术,是将上面印有装饰图纹的转印膜定位在射出机的模具内,在塑料制品射出成形的同时,进行图纹转印,完成壳体外观装饰。相对于传统喷涂、印刷、电镀等加工方式,模内装饰技术可配合制品批量生产,连续完成图纹转印,可疑简化生产步骤、缩短制程时间,已广泛应用于电子装置、家用电器等诸多领域。
图1为现有技术的转印膜结构的剖面示意图,图2为图1的转印膜结构的应用状态的剖面示意图。如图所示,转印膜结构10包括一基底薄膜层11以及上方次序堆栈形成的一离型层12、一硬化膜层13、一饰纹层14以及一黏着膜层15。基底薄膜层11可为塑料、金属或纤维系薄膜,用以提供表面平坦且不易变形的基材,以便于后续涂布与印刷等加工。离型层12设置于基底薄膜层11表面上方,用以辅助基底薄膜层11离型。硬化膜层13设置于离型层12表面上,由树脂溶液干燥形成,为具有高硬度的保护层。饰纹层14设置于硬化膜层13表面上,是由印刷形成的油墨装饰图纹。黏着膜层15设置于饰纹层14表面上方。转印时,提供一定的制程条件(例如:预定温度值),使黏着膜层15紧密黏着于物品20表面,从而将转印膜10结合于物品20。最后,借着离型层12将基底薄膜层11撕离,即完成图纹转印。但是,在实际应用中,转印膜结构10中,黏着膜层15的胶水极易向下渗入饰纹层14,致使油墨图纹受到破坏,成为不良品。具有瑕疵的转印膜假如没有被检出剔除,进一步流入后端制程,则将导致更多的物料损失。而且,若射出成型条件改变,导致转印膜的结构强度不够,极易出现油墨层破坏。
发明内容
为解决现有技术的不足,本发明的目的在于提供一种可阻挡黏着膜层的胶水渗入饰纹层,以防止油墨图纹遭受破坏,而且可加强膜层结构强度,从而提升转印膜制程合格率的转印膜结构。
为解决上述技术问题,本发明是通过采用的技术方案来实现的。
一种转印膜结构,其特征在于包括一基底薄膜层;一离型层,设置于该基底薄膜层的上表面;一第一硬化膜层,设置于该离型层的上表面;一饰绞层,设置于该第一硬化膜层的上表面;一第二硬化膜层,设置于该饰纹层的上表面;以及一黏着膜层,设置于该第二硬化膜层的上表面。
前述的转印膜结构,其特征在于该饰纹层包括一油墨层,该油墨层设置于该第一硬化膜层的上表面。
前述的转印膜结构,其特征在于该饰纹层包括一油墨层以及一金属薄膜层,该油墨层设置于该第一硬化膜层的上表面,该金属薄膜层设置于该油墨层的上表面。
前述的转印膜结构,其特征在于该第一硬化膜层以及该第二硬化膜层的厚度为3微米至60微米。
前述的转印膜结构,其特征在于该第一硬化膜层以及该第二硬化膜层的材料为聚胺酯系树脂、环氧系树脂、压克力系树脂、聚醚系树脂、聚酰胺系树脂、聚醋酸纤维素系树脂、聚苯乙烯共聚物、聚甲基丙烯酸甲酯系树脂、聚亚胺系树脂、聚二醚酮系树脂、聚醚砜系树脂、聚砜系树脂、胺基甲酸酯丙烯酸酯系树脂、丙烯氰酯系树脂以及异氰酸酯中的一种。
前述的转印膜结构,其特征在于该基底薄膜层为高分子聚合物基材、金属薄膜基材以及纤维系薄膜中的一种。
前述的转印膜结构,其特征在于该高分子聚合物的材料为聚乙烯系树脂、聚丙烯系树脂、聚酰胺系树脂、聚酯系树脂、聚丙烯酸系树脂、聚氯乙烯系树脂中的一种。
前述的转印膜结构,其特征在于该纤维素系薄膜为一玻璃纸或一涂布纸或一赛珞凡或为玻璃纸、涂布纸及赛珞凡组成的一种薄膜。
本发明的有益效果是:与现有技术相比,本发明在饰纹层与黏着膜层之间设置第二硬化膜层,可阻挡黏着膜层的胶水渗入饰纹层,以防止油墨图纹遭受破坏,且加强膜层结构强度,从而达到提升转印膜制程良率功效。
附图说明
图l为现有技术的转印膜结构的剖面示意图。
图2为图1的转印膜结构的应用状态的剖面示意图。
图3为本发明的转印膜结构的第一具体实施例的剖面示意图。
图4为本发明的转印膜结构的第二具体实施例的剖面示意图。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于琨诘电子(昆山)有限公司,未经琨诘电子(昆山)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201010553124.4/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。





