[发明专利]一种柱塞表面自润滑碳基镀层及其制备方法无效

专利信息
申请号: 201010551973.6 申请日: 2010-11-19
公开(公告)号: CN101984133A 公开(公告)日: 2011-03-09
发明(设计)人: 文晓斌 申请(专利权)人: 深圳金迈克精密科技有限公司
主分类号: C23C14/06 分类号: C23C14/06;C23C14/35
代理公司: 广东国晖律师事务所 44266 代理人: 赵琼花
地址: 518104 广东省深圳市宝*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 柱塞 表面 润滑 镀层 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种柱塞表面自润滑碳基镀层,其特征在于:它是采用磁控溅射离子镀技术,在柱塞表面上沉积产生的以碳为基体的含有少量铬的复合镀层;

所述镀层厚度为1.5μm~2.5μm,硬度为2000HV~2500HV;摩擦系数为0.05~0.09,比磨损率为(2~4)×10-17m3/N·m。

2.一种柱塞表面自润滑碳基镀层的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

S1、将柱塞清洗干燥后放入多靶磁控溅射离子镀设备的真空室内,并将真空室抽真空到(2~6)×10-3Pa;

S2、通入氩气,整个镀膜过程中氩气的流量为20~30sccm;

S3、离子轰击清洗,其时间为30~60min,此时调整负偏压值为-500V~-200V,脉冲频率为150~250KHz,脉冲宽度为500~1000ns;

S4、开始镀膜阶段,调整负偏压值为-65V~-95V,脉冲频率为50~150KHz,脉冲宽度为1000~1500ns;

S5、在镀膜时同时开启两个碳靶和一个铬靶,靶材电流分别为:ICr=0.2~0.5A,IC=6~9A;工作时间为240~360min;

S6、镀膜完成后,断电,冷却至室温,取出柱塞。

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