[发明专利]晶片及其处理方法和制造半导体装置的方法

权利要求书

1.一种处理晶片的方法，所述方法包括以下步骤：

提供第一半导体基底；

在第一半导体基底的第一裸片区中形成包括第一电路的电路部并在第一半导体基底的第二裸片区中形成包括第二电路的电路部；

形成与第一电路电通信的第一焊盘和与第二电路电通信的第二焊盘；

在形成第一电路和第二电路后，形成至少一部分在第一裸片区和第二裸片区的边界内的导线，所述导线与第一电路和第二电路电隔离。

2.如权利要求1所述的方法，所述方法还包括以下步骤：

在形成导线后，使第一裸片区与第二裸片区分离，以形成对应于第一裸片区的第一半导体芯片和对应于第二裸片区的第二半导体芯片。

3.如权利要求1所述的方法，其中，形成导线的步骤包括：

沉积由导电材料构成的导电层；

将导电层图案化，以获得导线。

4.如权利要求3所述的方法，其中，通过电镀技术沉积导电层。

5.如权利要求3所述的方法，所述方法还包括以下步骤：

在形成第一焊盘和第二焊盘之后且在形成导线之前，使第一半导体基底暴露于大气。

6.如权利要求2所述的方法，所述方法在形成导线后且在使第一裸片区与第二裸片区分离前，还包括以下步骤：

在第一裸片区和第二裸片区上安装第二芯片；

将第二芯片连接到第一裸片区和第二裸片区中的导线；

包封第二芯片。

7.如权利要求2所述的方法，所述方法在形成导线后且在使第一裸片区与第二裸片区分离前，还包括以下步骤：

在导线上沉积钝化层；

使第一半导体基底暴露于空气。

8.如权利要求7所述的方法，所述方法在形成导线后且在使第一裸片区与第二裸片区分离前，还包括以下步骤：

在第一裸片区和第二裸片区上安装第二芯片；

将第二芯片连接到第一裸片区的第一焊盘和第二裸片区的第二焊盘；

包封第二芯片。

9.如权利要求7所述的方法，其中，钝化层由聚合物构成。

10.如权利要求1所述的方法，所述方法还包括以下步骤：

在第一裸片区和第二裸片区中形成多个硅通孔，使得硅通孔连接到第一裸片区中的导线和第一焊盘及第二裸片区中的导线和第二焊盘。

11.如权利要求10所述的方法，所述方法还包括以下步骤：

使焊球以与至少一个硅通孔电连接的方式附于第一半导体基底的背面。

12.如权利要求11所述的方法，所述方法还包括以下步骤：

提供具有多个裸片区和在每个裸片区中形成的内部电路的第二半导体基底；

使第一半导体基底和第二半导体基底结合；

将结合的第一半导体基底和第二半导体基底单片化。

13.如权利要求1所述的方法，其中，第一半导体基底为硅晶片。

14.如权利要求1所述的方法，其中，焊盘和导线在相同的工艺期间形成。

15.如权利要求1所述的方法，其中，在形成第一焊盘和第二焊盘之后形成导线。

16.如权利要求2所述的方法，紧接在形成第一半导体芯片和第二半导体芯片之后，使导线相对于第一半导体芯片和第二半导体芯片的除了第一电路和第二电路之外的部分电浮置。

17.一种晶片，所述晶片包括：

在第一裸片区中设置的包括第一电路的电路部；

在第二裸片区中设置的包括第二电路的电路部；

跨过第一裸片区和第二裸片区延伸的导体，所述导体不与第一电路和第二电路电连接。

18.如权利要求17所述的晶片，其中，导体相对于第一裸片区和第二裸片区的除了第一电路和第二电路之外的部分电浮置。

19.如权利要求17所述的晶片，其中，导体是跨过第一裸片区和第二裸片区延伸的导线。

20.如权利要求17所述的晶片，其中，第一裸片区与第二裸片区紧邻，导体是分别跨过第一裸片区和第二裸片区延伸的导线。