[发明专利]发光二极管封装结构及其制造方法

权利要求书

1.一种发光二极管封装结构，包括基板、发光二极管芯片和封装体，所述发光二极管芯片设置于所述基板上，所述封装体覆盖于所述基板上，包覆所述发光二极管芯片，所述封装体包含荧光粉颗粒，其特征在于：所述封装体还包含有磁性颗粒。

2.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于：所述磁性颗粒的直径小于100纳米。

3.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于：所述封装体材料为硅胶、环氧树脂或二者组合物。

4.一种发光二极管封装结构的制造方法，包括以下步骤：

提供一基板；

将发光二极管芯片设置在所述基板上；

提供一种掺有荧光粉颗粒及磁性颗粒的封装胶液；

在一个磁场方向变化的外加磁场中，将封装胶液覆盖到所述发光二极管芯片上；

固化所述封装胶液形成封装体，得到所述发光二极管封装结构。

5.如权利要求4所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于：所述磁性颗粒的直径小于100纳米。

6.如权利要求4所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于：所述外加磁场由磁铁或者电磁线圈产生。

7.如权利要求4所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于：所述外加磁场方向变化的方式为顺时针或逆时针方向旋转。

8.如权利要求4所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于：所述外加磁场的变化方向是顺逆时针交替旋转。

9.如权利要求4所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于：所述磁性颗粒为铁、钴、镍或其合金颗粒。

10.如权利要求4所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于：所述荧光粉颗粒为石榴石结构的化合物、硫化物、磷化物、氮化物、氮氧化物、硅酸盐类、砷化物、硒化物或碲化物中的一种。