[发明专利]托盘及具有它的晶片处理设备无效
申请号: | 201010549916.4 | 申请日: | 2010-11-18 |
公开(公告)号: | CN102468205A | 公开(公告)日: | 2012-05-23 |
发明(设计)人: | 张宝辉 | 申请(专利权)人: | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/687;H01L21/00 |
代理公司: | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 黄德海 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 托盘 具有 晶片 处理 设备 | ||
1.一种托盘,其特征在于,包括:
托盘本体,所述托盘本体的上表面上设有用于容纳晶片的凹槽,所述托盘本体设有气体通道;和
上凸起部,所述上凸起部设置在所述凹槽的底面上以在所述凹槽内限定出上沟道,其中所述气体通道与所述上沟道连通。
2.如权利要求1所述的托盘,其特征在于,所述凹槽为多个,所述托盘本体上设有多个所述气体通道,所述多个气体通道分别与所述多个凹槽内的所述上沟道连通。
3.如权利要求2所述的托盘,其特征在于,所述上沟道的面积为所述托盘本体上表面面积的20~80%。
4.如权利要求3所述的托盘,其特征在于,所述上沟道的面积为所述托盘本体上表面面积的40%。
5.如权利要求1所述的托盘,其特征在于,所述气体通道从所述托盘本体的底面延伸到所述凹槽内。
6.如权利要求1所述的托盘,其特征在于,所述上凸起部包括多个离散分布在所述凹槽底面上的柱状体。
7.如权利要求1所述的托盘,其特征在于,所述上凸起部包括多个弧形体以在所述凹槽内限定出多个彼此连通的多个子上沟道。
8.如权利要求7所述的托盘,其特征在于,所述多个弧形体排列成同心环的形式,所述同心环以所述凹槽的中心为圆心,且所述多个子上沟道包括排列成同心环形式的周向子上沟道和连通所述周向子上沟道的径向子上沟道。
9.如权利要求1所述的托盘,其特征在于,所述气体通道形成在所述凹槽的中心。
10.如权利要求1所述的托盘,其特征在于,所述凹槽的底面外周边设有向下延伸且用于容纳晶片密封圈的密封圈容纳槽。
11.如权利要求1所述的托盘,其特征在于,进一步包括:
外周边封闭部,所述外周边封闭部沿周向形成在托盘本体的下表面的外周沿;和
下凸起部,所述下凸起部设置所述托盘本体的下表面上且位于所述外周边封闭部之内,其中所述下凸起部的高度不大于所述外周边封闭部的高度。
12.一种晶片处理设备,其特征在于,包括:
腔室主体,所述腔室主体内限定有反应室;
基座,所述基座容纳在所述反应室内;
卡盘,所述卡盘设置在所述基座上;
托盘,所述托盘设置在所述卡盘上,其中所述托盘为如权利要求1-11中任一所述的托盘;
压紧组件,所述压紧组件用于将所述托盘固定到所述卡盘上;和
气体供给通道,所述气体供给通道与所述托盘的气体通道连通用于将热传导气体供给到所述托盘的凹槽内。
13.如权利要求12所述的晶片处理设备,其特征在于,进一步包括卡盘密封圈,所述卡盘密封圈设置在所述托盘的下表面和所述卡盘的上表面之间。
14.如权利要求12所述的晶片处理设备,其特征在于,所述压紧组件包括:
盖板,所述盖板设置在所述托盘上;
压环;所述压环压在所述盖板上;和
压环升降机构,所述压环升降机构与所述压环相连用于升降所述压环。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造