[发明专利]图像处理电路、其处理方法、液晶显示装置以及电子设备有效
申请号: | 201010548614.5 | 申请日: | 2010-11-12 |
公开(公告)号: | CN102063883A | 公开(公告)日: | 2011-05-18 |
发明(设计)人: | 保坂宏行;饭坂英仁 | 申请(专利权)人: | 精工爱普生株式会社 |
主分类号: | G09G3/36 | 分类号: | G09G3/36;G02F1/133 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 陈海红;周春燕 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 图像 处理 电路 方法 液晶 显示装置 以及 电子设备 | ||
技术领域
本发明涉及减轻液晶面板的显示上的不良状况的技术。
背景技术
液晶面板是由以一定间隙保持的一对基板夹持液晶而成的结构。
详细地,在液晶面板中,由按每一像素矩阵状地排列有像素电极的第1基板和遍及各像素而成为共用的方式设置有共用电极的第2基板挟持液晶,由像素电极、液晶和共用电极构成液晶元件。在液晶元件中,如果使与灰度等级相应的电压施加、保持在像素电极与共用电极之间,则液晶的取向状态按每一像素被规定,由此,透射率或反射率被控制。因而,上述结构,能够使作用于液晶分子的电场之中、仅从像素电极朝向共用电极的方向(或其相反方向)、即相对于基板面的垂直方向(纵方向)的分量,对显示控制起作用。
如果如近年来那样为了小型化、高精细化而使像素间距变窄,则会产生在相互相邻的像素电极彼此之间产生的电场、即相对于基板面平行方向(横方向)的电场,其影响不能忽视。如果对例如像VA(Vertical Alignment,垂直取向)方式和/或TN(Twisted Nematic,扭曲向列)方式等那样应该利用纵方向的电场进行驱动的液晶施加横电场,则会产生下述问题:发生液晶的取向不良(反向倾斜(リバ一スチルト))、产生显示上的不良状况。
因此,例如提出了以下技术:对图像信号进行图像分析而识别容易发生反向倾斜的图像,并且在识别出该图像时,将设定值以上的图像信号一律削除而调整液晶元件的施加电压(例如参照专利文献2)等。
[专利文献1]特开2009-69608号公报(图2)
但是,在上述技术中,由于需要按每一帧分析图像信号,所以容易引起图像处理电路的大规模化和/或复杂化。
发明内容
本发明是鉴于上述的情形而实现的,其目的之一在于提供可抑制图像处理电路的大规模化和/或复杂化等并且减轻因反向倾斜域引起的显示上的不良状况的产生的技术。
为了达到上述目的,本发明的图像处理电路,对液晶面板,基于图像信号指定对液晶元件施加的施加电压,该液晶面板具有设置于第1基板的像素电极、设置于第2基板的共用电极以及在上述像素电极与共用电极之间挟持有液晶的液晶元件,其中,该图像处理电路具备:边界检测部,其检测特定边界(危险边界),该特定边界是由上述图像信号指定的施加电压低于第1电压的第1像素与上述施加电压高于第2电压的第2像素的边界的一部分并且由上述液晶的倾斜方位确定,该第2电压比上述第1电压大;以及置换部,其在对于与上述特定边界相邻的第1像素、由上述图像信号指定的施加电压低于第3电压的情况下,将向与该第1像素对应的液晶元件施加的施加电压从由上述所输入的图像信号指定的施加电压置换为预先确定的电压,该第3电压比上述第1电压低。根据本发明,由于不是对1帧量的图像整体进行处理,而是仅进行用于检测像素彼此之间的边界及特定边界的处理,所以与对2帧量以上的图像进行分析来检测变动的构成比较,可以抑制图像处理电路的大规模化和/或复杂化。
在本发明中,优选下述构成:上述倾斜方位,在从上述像素电极侧朝向上述共用电极俯视时,是从上述像素电极侧的液晶分子的长轴的一端朝向上述液晶分子的另一端的方向。这是因为,反向倾斜域是因在像素电极彼此之间产生的横电场引起的。
进而,在本发明中,关于作为上述预先确定的电压、应该设定为怎样的值,应该根据优先事项而确定,但是若优先考虑使置换所引起的透射率(反射率)的变化不被感知到这一点,则优选第3电压。
在本发明中,也可以形成为下述构成:上述边界检测部,通过所输入的图像信号与将该所输入的图像信号延迟1像素而得到的信号的比较来检测上述边界。若这样构成,则可以进一步实现结构的简化。
在本发明中,也可以形成为下述构成:上述置换部,关于相对于与上述特定边界相接的第1像素在上述危险边界的相反侧相邻并且朝向与该特定边界相反方向连续的一个以上的像素,在由该像素的图像信号指定的施加电压低于上述第3电压的情况下,将向与该像素对应的液晶元件施加的施加电压从由上述图像信号指定的施加电压置换为上述第3电压。根据该构成,即使在液晶元件的响应时间比显示画面更新的时间间隔长的情况下,也可以抑制反向倾斜域的产生。
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