[发明专利]一种自抽运仿生膜及其制备方法无效
| 申请号： | 201010547401.0 | 申请日： | 2010-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN102068916A | 公开（公告）日： | 2011-05-25 |
| 发明（设计）人： | 韩志超;许杉杉;李立藏;申孟芝 | 申请（专利权）人： | 无锡中科光远生物材料有限公司 |
| 主分类号： | B01D71/06 | 分类号： | B01D71/06;B01D67/00;B01D69/12 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 王雪梅 |
| 地址： | 214192 江苏省无锡*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 抽运 仿生 及其 制备 方法 | ||
1.一种自抽运仿生膜，其特征在于，包括带孔的高分子仿生膜以及分别沉积在膜两侧表面的成分不同的金属电极层，所述金属电极层通过银胶与金属线连接。
2.根据权利要求1所述的自抽运仿生膜，其特征在于，所述高分子仿生膜与金属电极层之间进一步沉积有钛吸附层。
3.根据权利要求1或2所述的自抽运仿生膜，其特征在于，所述高分子仿生膜为聚碳酸酯、聚环氧乙烷、聚乙烯醇、聚乙烯乙酸酯、聚乳酸、聚乳酸-乙醇共聚物或聚己内酯材质。
4.根据权利要求1或2所述的自抽运仿生膜，其特征在于，所述金属电极层为铂、金、银、铜、铁中的一种。
5.根据权利要求1或2所述的自抽运仿生膜，其特征在于，所述孔的直径为0.5～2μm，深度为10～20μm。
6.根据权利要求1或2所述的自抽运仿生膜，其特征在于，所述高分子仿生膜的孔隙率为10～15％。
7.根据权利要求1或2所述的自抽运仿生膜，其特征在于，所述金属电极层的厚度为5～50nm。
8.根据权利要求1或2所述的自抽运仿生膜，其特征在于，所述钛吸附层的厚度为1～10nm。
9.一种制备权利要求1所述的自抽运仿生膜的方法，其特征在于，包括如下步骤：
(1)蚀刻高分子仿生膜：在高分子仿生膜上蚀刻直径为0.5～2μm，深度为10～20μm的孔，使得高分子仿生膜的孔隙率为10～15％；
(2)沉积金属电极层：通过溅射沉积法在蚀刻好的高分子仿生膜的两侧表面分别沉积成分不同的金属电极层，其中所述金属电极层的厚度为5～50nm；
(3)接线：将金属电极层分别通过银胶与金属线连接，即得到自抽运仿生膜。
10.根据权利要求9所述的制备自抽运仿生膜的方法，其特征在于，在沉积金属电极层之前先通过溅射沉积法在蚀刻好的高分子仿生膜表面沉积钛吸附层。
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