[发明专利]同轴一体化射频信号隔离器

说明书

技术领域

本发明涉及一种隔离器，尤其是一种适于地铁，隧道通信系统，可用于在各系统中的通信电缆或泄露电缆做直流和低频信号隔断的同轴一体化的射频信号隔离器，可有效的避免由于环境潮湿而使绝缘性能下降而使通信系统故障率增加。

背景技术

同轴隔离器可用于对地铁，隧道通信系统中的电缆，起到直流和低频信号隔断功能，具备体积小、重量轻、隔离可靠并与电缆同轴一体连接等优点。目前国内、外市场上的同轴一体化射频信号隔离器，均只是由中心导体隔离，外壳体则不设隔离器件，在某些情况下会出现缺陷，对于隧道或其他恶劣的使用环境，故障率很高。此外，现有的同轴一体化射频信号隔离器，使用频率范围一般为800MHz到2500MHz。随着通信技术的不断发展和通信频带的不断扩展，现有的隔离器已渐渐不甚适用。因此，必需要有高性能的同轴一体化射频信号隔离器，才能保证各系统可靠工作，本发明针对此而设计。

发明内容

本发明的目的在于提供一种应用于地铁，隧道等通信的高性能的同轴一体化射频信号隔离器，使各通信系统能可靠，优质的运行。

本发明为解决其技术问题所采用的技术方案是：

同轴一体化射频信号隔离器，包括主要由N型连接器阳、阴头组成的连接端口，N型连接器阳、阴头通过绝缘外壳固定装配于一起，N型连接器阳、阴头的内通道分别设置有阳、阴头内导体，所述阳、阴头内导体通过中心被银电容连接；在绝缘外壳内分布有多个外环被银电容，多个外环被银电容通过集流片连接在一起组成外环被银电容组，外环被银电容组两端分别连接N型连接器阳、阴头，形成外壳体频带通道。

上述的N型连接器阳、阴头分别通过金属的阳、阴头法兰盘与绝缘外壳连接。

上述外环被银电容组一端安装于阴头法兰盘上，以使外环被银电容组通过阴头法兰盘连接N型连接器阴头壳体。

上述集流片安装于阳头法兰盘上，以使外环被银电容组的另一端通过集流片与N型连接器阳头的壳体连接。

进一步，中心被银电容两端分别引出线形成电极，所述阳、阴头内导体端部分别设有与同一端的柱形电极配合的容置端口。

上述的阳、阴头内导体外周分别穿设有阳、阴头绝缘子，并分别通过阳、阴头绝缘子固定于N型连接器阳、阴头的内通道中。

上述外环被银电容等距离分布在一同心圆上。

上述外环被银电容组设有七个平均分布的外环被银电容。

上述外环被银电容以中心被银电容为中心轴分布。

其中N型连接器阳、阴头的输入输出射频端口的阻抗为50欧姆。

本发明的有益效果是：本发明制成类似于N型连接器(一头阴一头阳)直通，可很方便的串接在射频传输电缆中，对直流及低频信号进行隔离，而让高频信号(300-4000MHz)顺利通过；被银电容具备耐高压特性，且按50欧的传输阻抗设计好各电容的电容值以及传输腔体的内部直径，以确保输入输出端口具有最好的回波损耗，确保有用信号高保真的传输。本发明中，中心的内导体的隔离直流，是通过一个电容值合适的被银电容及合理的腔体设计参数；多个被银电容则等效成一个串接在两个N型连接器外壳体间的合适隔直流电容，并通过腔体参数的设计及分布参数的修正，以达到产品具有中心导体和外壳体均隔直流并具有最佳匹配的目的。

附图说明

下面结合附图和具体实施方式进行进一步说明：

图1为本发明的电路原理图；

图2为本发明的拆分结构剖视图；

图3为本发明的结构示意图；

图4为本发明实施例中与隧道泄露电缆连接的示意图；

图5为本发明的S参数图。

具体实施方式

参照图1，是本发明实施例的电原理图，从图中可以看出，隔离器的输入输出之间，串入的电容C0，只要其电容值足够大，以在使用频带内呈现的阻抗足够小，则对高频信号可视为短路，而对直流或低频信号则呈现出很高阻抗，相当于开路。N型连接器阳头1和N型连接器阴头1的组成的金属外壳体间则串入电容C1、C2、C3、C4、C5、C6、C7，做为金属外壳体之间的高频信号通路，而对直流或低频信号则是开路。