[发明专利]半导体结构以及半导体元件的形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构，包括：

一第一基板，具有形成于其上的电路；

一第二基板，包括一第一接垫、一第一缓冲层以及一第一导体焊垫，其中该第一缓冲层位于该第一接垫上，且该第一缓冲层的一开口暴露出至少部分的该第一接垫，该第一导体焊垫电性接触该第一接垫并具有一非平坦的表面，该第一导体焊垫沿着该开口的侧壁而形成并延伸至至少部分的该第一缓冲层上；以及

一导电材料，插置于该第一基板与该第二基板之间，该导电材料直接接触该第一导体焊垫。

2.如权利要求1所述的半导体结构，其中该第一缓冲层包括高分子材料、环氧树脂、聚酰亚胺、防焊材料或感光材料。

3.如权利要求1所述的半导体结构，还包括：

一第二缓冲层，插置于该第一缓冲层与该第一接垫之间；以及

一第二导体焊垫，插置于该第一导体焊垫与该第一接垫之间，该第二导体焊垫延伸至该第二缓冲层的一顶面上。

4.一种半导体结构，包括：

一第一基板，具有一第一侧与一第二侧，且该第一侧与该第二侧至少其中之一用来接受至一集成电路芯片的连接；以及

一凸块应力缓冲层，位于该第一基板的该第一侧上，该凸块应力缓冲层包括一第一凸块缓冲层，该第一凸块缓冲层位于一第一电接点上，且该第一凸块缓冲层具有一开口，该开口位于至少部分的该第一电接点上，该凸块应力缓冲层还包括多个第一凸块导体焊垫，所述多个第一凸块导体焊垫具有均匀的厚度并延伸至该第一凸块缓冲层的一顶面上。

5.如权利要求4所述的半导体结构，还包括：

一球应力缓冲层，位于该第一基板的该第二侧上，该球应力缓冲层包括一球缓冲层，该球缓冲层位于一第二电接点上，该球缓冲层具有一开口，该开口位于至少部分的该第二电接点上，该球应力缓冲层还包括一球导体焊垫，该球导体焊垫具有均匀的厚度并延伸至该球缓冲层的一顶面上。

6.如权利要求4所述的半导体结构，还包括：

一第二基板，具有形成于其上的电路，该第二基板利用多个导电凸块电性连接至该第一基板的所述多个第一凸块导体焊垫。

7.如权利要求4所述的半导体结构，其中该第一凸块缓冲层包括高分子材料、环氧树脂、聚酰亚胺、防焊材料或感光材料。

8.如权利要求4所述的半导体结构，还包括：

一第二凸块缓冲层，插置于该第一凸块缓冲层与该第一电接点之间；以及

一第二凸块导体焊垫，插置于该第一凸块导体焊垫与该第一电接点之间，该第二凸块导体焊垫延伸至该第二凸块缓冲层的一顶面上。

9.一种半导体元件的形成方法，该方法包括：

提供一第一基板，该第一基板具有一第一电接点与一第二电接点，该第一电接点位于一第一侧上，该第二电接点位于一第二侧上；

形成一第一凸块缓冲层于该第一电接点上，该第一凸块缓冲层具有一第一开口，该第一开口位于至少部分的该第一电接点上；以及

形成一第一凸块导体焊垫，该第一凸块导体焊垫延伸至该第一凸块缓冲层的一顶面上，该第一凸块导体焊垫具有均匀的厚度。

10.如权利要求9所述的半导体元件的形成方法，还包括：

形成一第二凸块缓冲层于该第一凸块导体焊垫上，该第二凸块缓冲层具有一第二开口，该第二开口位于至少部分的该第一凸块导体焊垫上；以及

形成一第二凸块导体焊垫，该第二凸块导体焊垫延伸至该第二凸块缓冲层的一顶面上并具有均匀的厚度。