[发明专利]液晶显示装置

说明书

技术领域

本发明属于显示领域，特别涉及一种液晶显示装置。

背景技术

显示技术日新月异，随着信息量的不断增加，液晶显示器的显示容量也越来越大，显示容量的增加势必带来驱动的负荷变大，于是双驱动芯片，多驱动芯片的液晶显示器便应运而生。因为驱动芯片之间的不同步性，导致相邻驱动芯片的氧化铟锡(Indium tin oxide，ITO)电极走线之间产生感应电场，从而导致液晶分子的扭曲而产生多余显示。请参考图1，现有的液晶显示器的抗静电设计是拉大相邻驱动芯片的ITO电极走线11、12之间的间距，以衰减或消除感应电场。然而拉大相邻驱动芯片的ITO电极走线11、12之间的间距使得相邻驱动芯片之间的空白区域13增大，由于具有ITO电极走线的区域14的折射率及穿透率与空白区域13不同，导致空白区域13的颜色较浅，产生“字影”现象。同时由于相邻驱动芯片的ITO电极走线11、12之间的间距较大，其他的走线之间的间距将要缩小，增加了制作的工艺难度。

发明内容

本发明实施例的目的在于提供一种液晶显示装置，用于解决现有的液晶显示器的多余显示、“字影”现象及制作工艺难度大的问题。

本发明实施例是这样实现的，一种液晶显示装置，包括：

液晶盒，包括封闭相连的上基板、下基板及密封框；

设置于液晶盒外部的第一驱动芯片及第二驱动芯片；

与第一驱动芯片相连的第一走线层，所述第一走线层紧贴设置于所述液晶盒的第一部分中的上基板及下基板的内壁上；及

与第二驱动芯片相连的第二走线层，所述第二走线层紧贴设置于所述液晶盒的第二部分中的上基板及下基板的内壁上，所述第一走线层及第二走线层均包括电极走线及填充电极，所述电极走线与填充电极隔开；

屏蔽地线，所述屏蔽地线设置于所述第一走线层与第二走线层之间，所述屏蔽地线设置于上基板及下基板的内壁上，且上下垂直连接，所述屏蔽地线还与所述第一及第二走线层中的填充电极连接；及

液晶层，所述液晶层填充于所述液晶盒内的间隙中。

本发明液晶显示装置通过在液晶盒内相邻驱动芯片的电极走线之间增加屏蔽地线，使得两个驱动芯片相邻的电极走线相隔离，上基板及下基板上的填充电极分别与屏蔽地线相连通，且上基板及下基板上的屏蔽地线上下连接，因此无法产生感应电场；同时填充电极及屏蔽地线还起到填充作用，避免了“字影”现象。

附图说明

图1是现有的液晶显示装置的剖视图。

图2是本发明实施例提供的液晶显示装置的剖视图。

具体实施方式

为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。

请参考图2，本发明实施例提供一种液晶显示装置。本实施方式中，以双驱动芯片为例进行说明，该液晶显示装置包括液晶盒100、液晶层200、氧化铟锡(Indium tin oxide，ITO)屏蔽地线300、导通点140、第一走线层410、第二走线层420、第一驱动芯片(图未示)及第二驱动芯片(图未示)。

液晶盒100包括封闭相连的上基板110、下基板120及密封框130。

第一驱动芯片及第二驱动芯片均设置于液晶盒100的外部。

第一走线层410及第二走线层420紧贴均设置于液晶盒100中的上基板110及下基板120的内壁上。

第一走线层410及第二走线层420均包括两ITO电极走线10及ITO填充电极20。ITO填充电极20设置于两ITO电极走线10之间且分别与两ITO电极走线10隔开。

第一走线层410中的ITO电极走线10与第一驱动芯片相连，第二走线层420中的ITO电极走线10与第二驱动芯片相连。

ITO屏蔽地线300及导通点140均设置于第一走线层410与第二走线层420之间。ITO屏蔽地线300设置于上基板110及下基板120的内壁上且通过导通点140上下垂直连通。

上基板110及下基板120上的ITO屏蔽地线300分别与上基板110上的ITO填充电极20及下基板120上的ITO填充电极20相连，从而使得第一走线层410及第二走线层420中的ITO填充电极20均与ITO屏蔽地线300相连，且通过导通点140上下垂直连通。

液晶层200填充于液晶盒100内的间隙中。