[发明专利]一种白光OLED及其制备方法无效
| 申请号: | 201010544287.6 | 申请日: | 2010-11-15 |
| 公开(公告)号: | CN102468443A | 公开(公告)日: | 2012-05-23 |
| 发明(设计)人: | 席俭飞;潘世强;张方辉;张麦丽 | 申请(专利权)人: | 西安麟字半导体照明有限公司 |
| 主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/54;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 | 代理人: | 商宇科 |
| 地址: | 710065 陕西省西*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 白光 oled 及其 制备 方法 | ||
1.一种白光OLED,包括上玻璃基板、下玻璃基板,其特征在于:所述上玻璃基板和下玻璃基板之间设置有发光层,所述发光层的发光材料是蓝光材料。
2.根据权利要求1所述的白光OLED,其特征在于:所述发光层包括阳极、有机功能层、阴极和荧光粉层;所述有机功能层设置在阳极和阴极之间,所述荧光粉层设置在阳极上。
3.根据权利要求2所述的白光OLED,其特征在于:所述蓝光材料设置在有机功能层内,所述有机功能层还包括能量转移材料。
4.根据权利要求3所述的白光OLED,其特征在于:所述阳极与荧光粉层之间还设置有光层玻璃基板。
5.根据权利要求1或2或3或4所述的白光OLED,其特征在于:所述蓝光材料为9,10-di-(2-naphthyl)anthracene(ADN);所述能量转移材料为2,5,8,11-tetra-tertbutylperylene(TBPe);所述阳极是ITO玻璃;所述阴极是Al。
6.根据权利要求5所述的白光OLED,其特征在于:上玻璃基板和下玻璃基板之间还设置有用于密封发光层的密封件。
7.一种白光OLED制备方法,其特征在于:所述方法包括以下步骤:
1)将阳极光刻成所需的形状,光刻过程采用正性光刻胶,相对应的稀释液和显影液。
2)在超声波环境中采用丙酮、无水乙醇清洗经步骤1)光刻后的阳极5-10min,烘干待用;
3)将步骤2)中处理后的阳极进行等离子处理;
4)将有机功能层在10-4Pa的真空室内蒸镀。
8.根据权利要求7所述的白光OLED制备方法,其特征在于:所述步骤1)阳极ITO光刻的具体步骤是:
1.1)将阳极表面清洗干净并干燥;
1.2)干燥后的阳极涂上正性光刻胶,于50-150℃下烘干10-40min,使膜坚固;
1.3)将步骤1.2)的阳极冷却后曝光0.5-10min,并将曝光好的阳极ITO玻璃 在1%-5%的NaOH显影液中显影,待图像出现后用水冲洗、烘干;
1.4)将步骤1.3)的阳极放在刻蚀液中刻蚀,刻蚀液是浓盐酸∶水按照质量比3-1∶1-3配制而成,刻蚀5-30min,形成所需图案;
1.5)刻蚀后的阳极用1%-8%的NaOH溶液去除表面的光刻胶。
9.根据权利要求8所述的白光OLED制备方法,其特征在于:所述步骤3)中对阳极进行等离子处理的具体步骤是:将真空室抽真空至压强为(1-9)×100Pa,充入高纯氧气至压强为(1-5)×101Pa,轰击电压为500-1000V,轰击阳极ITO5-30min。
10.根据权利要求9所述的白光OLED制备方法,其特征在于:所述步骤4)中蒸镀有机功能层的具体步骤是:依次在阳极表面蒸镀2T-NATA、N,N′-di-[(1-naphthalenyl)-N,N′-diphenyl]-(1,1′-bi-phenyl)-4,4′-diamine(NPB)、ADN:TBPe、tris(8-quinolinolato)aluminium complex(Alq3)、LiF、Al,并监测蒸度速率;蓝光材料和能量转移材料采用双源共蒸,各有机层的沉积速率是0.2nm/s,TBPe掺杂浓度通过控制蒸发速率来控制,阴极Al的沉积速率为1nm/s。
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