[发明专利]采用光敏纳米二氧化硅对光致抗蚀材料进行改性制备的方法

权利要求书

1.一种采用光敏纳米二氧化硅对光致抗蚀材料进行改性制备的方法，其特征在于制备步骤如下：

(1)光敏纳米二氧化硅酯类溶液的制备：

将乙醇、蒸馏水、氨水混合均匀，于45～55℃下搅拌滴加正硅酸酯，恒温反应22～26h，得到纳米二氧化硅溶胶I；将含双键的硅烷偶联剂按配比滴加到纳米二氧化硅溶胶I中，45～55℃反应3～5h，得到光敏纳米二氧化硅溶胶II；将光敏纳米二氧化硅溶胶II与酯类溶剂混合，于25～35℃真空旋转蒸发，除去乙醇及氨气，得到光敏纳米二氧化硅酯类溶液；其中乙醇∶蒸馏水∶氨水∶正硅酸酯∶硅烷偶联剂的摩尔比＝15～20∶8～12∶0.1～0.3∶1∶4～6，酯类溶剂与乙醇的摩尔比＝1～1.2∶1，

(2)光致抗蚀材料的改性制备：

按重量比将3～6％光引发体系、0.05～0.15％阻聚剂充分溶于6～15％的活性稀释剂中，再添加1～5％的颜料，然后加入65～85％的光敏碱溶性预聚物，最后添加3.8～12％由步骤(1)制得的光敏纳米二氧化硅酯类溶液，室温下搅拌均匀。

2.根据权利要求1所述采用光敏纳米二氧化硅对光致抗蚀材料进行改性制备的方法，其特征在于步骤(1)所述正硅酸酯可选自正硅酸甲酯、正硅酸乙酯或正硅酸丙酯。

3.根据权利要求1所述采用光敏纳米二氧化硅对光致抗蚀材料进行改性制备的方法，其特征在于步骤(1)所述含双键的硅烷偶联剂可选自γ-(甲基丙烯酰氧基)丙基三甲氧基硅烷，其分子结构可为：

(CH₃O)₃-Si-(CH₂)₃OOC(CH₃)C＝CH₂；

或甲基丙烯酸缩水甘油酯和3-氨基丙基三乙氧基硅烷的开环反应产物，其分子结构可为：

4.根据权利要求1所述采用光敏纳米二氧化硅对光致抗蚀材料进行改性制备的方法，其特征在于步骤(1)所述酯类溶剂可选自丙二醇甲醚醋酸酯或混二酸二甲酯。

5.根据权利要求1所述采用光敏纳米二氧化硅对光致抗蚀材料进行改性制备的方法，其特征在于步骤(2)所述光敏碱溶性预聚物是一种端基或侧链上含有可碱溶性基团的不饱和丙烯酸树脂，进一步选自光敏碱溶性纯丙烯酸酯预聚物、酚醛环氧丙烯酸酯预聚物或聚氨酯丙烯酸酯预聚物。

6.根据权利要求1所述采用光敏纳米二氧化硅对光致抗蚀材料进行改性制备的方法，其特征在于步骤(2)所述活性稀释剂是一种多官能度的丙烯酸酯，可选自二缩三丙二醇二丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三丙烯酸酯或季戊四醇三丙烯酸酯。

7.根据权利要求1所述采用光敏纳米二氧化硅对光致抗蚀材料进行改性制备的方法，其特征在于步骤(2)所述光引发体系可选自2-甲基1-(4-甲巯基苯基)-2-吗啉-1-丙酮/异丙基硫杂蒽酮体系，或邻氯代六芳基双咪唑/4，4-二(N，N’-二甲基-氨基)苯甲酮/N-苯基甘胺酸体系体系。

8.根据权利要求1所述采用光敏纳米二氧化硅对光致抗蚀材料进行改性制备的方法，其特征在于步骤(2)所述阻聚剂可选自对苯二酚、对羟基苯甲醚或对甲氧基苯酚。

9.根据权利要求1所述采用光敏纳米二氧化硅对光致抗蚀材料进行改性制备的方法，其特征在于步骤(2)所述颜料选自酞菁蓝或酞菁绿。