[发明专利]用于制作太阳能面板的工艺和由其制作的太阳能面板

权利要求书

1.一种用于制作柔性太阳能面板的工艺，其包括以下步骤：

(a)提供上面具有经图案化第一电极的衬底；

(b)在所述具有经图案化第一电极的衬底上依序沉积第一材料的层和第二材料的层；

(c)在所述第二材料的所述层上且在多个导电通道处形成多个经图案化光致抗蚀剂；

(d)对所述第一材料的所述层和所述第二材料的所述层进行湿式蚀刻以在所述导电通道处形成多个T形结构，其中所述第一材料的蚀刻速率高于所述第二材料的蚀刻速率；

(e)在具有所述经图案化第一电极的所述衬底上沉积至少一半导体膜以形成光电转换元件；

(f)在所述半导体膜上沉积至少一个第二电极，以便在所述导电通道处将所述第二电极电连接到所述第一电极；以及

(g)对所述第二电极和半导体膜进行划线以分离个别电池而形成太阳能面板。

2.根据权利要求1所述的工艺，其中在步骤(e)中沉积的所述半导体膜不完全覆盖所述第一电极，且所述第一电极与所述第二电极直接连接。

3.根据权利要求2所述的工艺，其中每一第一电极的未由所述半导体膜覆盖的区的宽度在10μm到200μm的范围内。

4.根据权利要求1所述的工艺，其中所述第一材料是导电的，且步骤(e)中的所述半导体材料完全覆盖所述第一电极，但不完全覆盖所述T形结构的所述第一材料，且所述T形结构连接所述第一电极和所述第二电极两者。

5.根据权利要求1所述的工艺，其中所述第一材料和所述第二材料均是导电的，且步骤(e)中沉积的所述半导体膜完全覆盖所述第一电极和所述T形结构的所述第一材料，但不完全覆盖所述T形结构的所述第二材料，且所述T形结构连接所述第一电极和所述第二电极。

6.根据权利要求1所述的工艺，其中所述第一材料和所述第二材料独立地选自金属、氧化物、氮化物、碳纳米管或聚合物。

7.根据权利要求1所述的工艺，其中所述第一材料比所述第二材料的蚀刻选择性在2∶1到1000∶1的范围内。

8.根据权利要求1所述的工艺，其中步骤(b)中沉积的所述第一材料的所述层的厚度大于步骤(e)中沉积的所述半导体膜的厚度。

9.根据权利要求13所述的工艺，其中所述第一材料的所述层的厚度是300nm到30μm，且所述第二材料的所述层的厚度是100μm到30nm。

10.一种太阳能面板，其包括衬底、第一电极、在所述第一电极中的每一者上的由第一材料和第二材料组成的T形结构、光电转换元件以及第二电极。