[发明专利]TFT阵列基板、制造方法及液晶显示装置有效
| 申请号： | 201010542471.7 | 申请日： | 2010-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN102468243A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | 谢振宇;陈旭;龙春平 | 申请（专利权）人： | 北京京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/84 | 分类号： | H01L21/84;H01L21/768;H01L21/027;H01L21/20;H01L27/12;G02F1/1362 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100176 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | tft 阵列 制造 方法 液晶 显示装置 | ||
1.一种TFT阵列基板制造方法，在基板上形成横纵交叉的数据线和栅线，所述数据线和栅线围设形成像素单元，每个像素单元包括TFT开关；其中，所述TFT开关包括栅电极、源电极、漏电极和有源层，其特征在于，
在形成有上述结构的所述基板上形成钝化层；
在所述形成有钝化层的基板上沉积像素电极层；
在所述像素电极层上涂覆光刻胶，并进行曝光、显影，形成光刻胶完全保留区域和光刻胶完全去除区域，所述光刻胶完全保留区域对应像素电极区域，所述光刻胶完全去除区域对应其他区域；
刻蚀去除光刻胶完全去除区域的像素电极层；
对基板进行处理，使光刻胶完全去除区域的钝化层表面变为黑色；
剥离去除光刻胶完全保留区域的光刻胶。
2.根据权利要求1所述的TFT阵列基板制造方法，其特征在于，对基板进行处理，使光刻胶完全去除区域的钝化层表面变为黑色包括：
对所述基板喷淋或浸泡黑色染料达到一定时间，使所述黑色染料渗透进光刻胶完全去除区域的钝化层的表面，使得该光刻胶完全去除区域的钝化层的表面变为黑色。
3.根据权利要求1所述的TFT阵列基板制造方法，其特征在于，对基板进行处理，使光刻胶完全去除区域的钝化层表面变为黑色包括：
在所述基板上涂覆黑色树脂材料，使得光刻胶完全去除区域的钝化层的表面变为黑色。
4.一种TFT阵列基板，包括：
基板；所述基板上形成有横纵交叉的数据线和栅线；所述数据线和栅线围设形成像素单元，每个像素单元包括TFT开关，其中，所述TFT开关包括栅电极、源电极、漏电极和有源层；在所述基板上形成有钝化层；在钝化层上对应像素单元区域形成有像素电极区域；其特征在于，
所述钝化层对应所述像素电极区域的部分为透明；
所述钝化层对应其他区域的部分表面为黑色。
5.根据权利要求4所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述钝化层对应其他区域的部分表面渗透有黑色染料。
6.根据权利要求4所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述钝化层对应其他区域的部分表面涂覆有黑色树脂材料。
7.一种液晶显示装置，其特征在于，包括权利要求4所述的TFT阵列基板和彩膜基板，所述彩膜基板上不设置黑矩阵。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
