[发明专利]电位转换电路

权利要求书

1.一种电位转换电路，其特征在于，包括：

一第一N型晶体管以及一第二N型晶体管，组成一差动输入对，分别以栅极接收一输入信号以及一反相输入信号，且各自以源极耦接一地端，上述输入信号与上述反相输入信号操作于与一第一电源有关的一第一电位区间内；

一第一P型晶体管以及一第二P型晶体管，耦接于一第二电源与该差动输入对之间，且彼此交错耦接以使该第一P型晶体管与该第二P型晶体管的栅极操作于与该第二电源有关的一第二电位区间内，其中，该第一P型晶体管与该第二P型晶体管的源极皆耦接该第二电源，该第一P型晶体管与该第二P型晶体管的漏极分别耦接该第一N型晶体管与该第二N型晶体管的漏极，该第一P型晶体管的栅极耦接该第二P型晶体管的漏极，且该第二P型晶体管的栅极耦接该第一P型晶体管的漏极；

一第一电位拉升电路，于该输入信号由该第一电位区间的一第一低电平转变为该第一电位区间的一第一高电平时，耦接该第二电源至该第一P型晶体管的栅极；以及

一第二电位拉升电路，于该输入信号由该第一高电平转变为该第一低电平时，耦接该第二电源至该第二P型晶体管的栅极。

2.根据权利要求1所述的电位转换电路，其特征在于，该第一电位拉升电路包括：

一第三P型晶体管，以其源极耦接该第二电源，并以其漏极耦接该第一P型晶体管的栅极；

一第一与非门，接收该输入信号以及一第一信号，且输出信号控制该第三P型晶体管的栅极，

其中，该第一信号为该第二P型晶体管的栅极电位、或该第二P型晶体管的栅极电位经偶数个反相器处理后的信号、或该第一P型晶体管的栅极电位经奇数个反相器处理后的信号。

3.根据权利要求1所述的电位转换电路，其特征在于，该第二电位拉升电路包括：

一第四P型晶体管，以其源极耦接该第二电源、并以其漏极耦接该第二P型晶体管的栅极；

一第二与非门，接收该反相输入信号以及一第二信号，且输出信号控制该第四P型晶体管的栅极，

其中，该第二信号为该第一P型晶体管的栅极电位、或该第一P型晶体管的栅极电位经偶数个反相器处理后的信号、或该第二P型晶体管的栅极电位经奇数个反相器处理后的信号。

4.根据权利要求2所述的电位转换电路，其特征在于，该第一与非门包括：

一第三N型晶体管以及一第四N型晶体管，串接于该第三P型晶体管的栅极以及该地端之间，且该第三N型晶体管的栅极负责接收该输入信号，该第四N型晶体管的栅极负责接收该第一信号。

5.根据权利要求4所述的电位转换电路，其特征在于，该第一与非门还包括：

以二极管形式连接的一第五P型晶体管，自该第二电源耦接至该第三P型晶体管的栅极。

6.根据权利要求3所述的电位转换电路，其特征在于，该第二与非门包括：

一第五N型晶体管以及一第六N型晶体管，串接于该第四P型晶体管的栅极以及该地端之间，且该第五N型晶体管的栅极负责接收该反相输入信号，该第六N型晶体管的栅极负责接收该第二信号。

7.根据权利要求6所述的电位转换电路，其特征在于，该第二与非门还包括：

以二极管形式连接的一第六P型晶体管，自该第二电源耦接至该第四P型晶体管的栅极。

8.根据权利要求1所述的电位转换电路，其特征在于，还包括：

一压降电路，于该第一N型晶体管不导通时在该第二P型晶体管的栅极与该第一N型晶体管的漏极间提供一第一压降，且于该第二N型晶体管不导通时在该第一P型晶体管的栅极与该第二N型晶体管的漏极间提供一第二压降。

9.根据权利要求8所述的电位转换电路，其特征在于，该第一N型晶体管与该第二N型晶体管的栅极厚度较该第一P型晶体管与该第二P型晶体管的栅极厚度薄。

10.根据权利要求1所述的电位转换电路，其特征在于，还包括：

一第七P型晶体管，以其源极耦接该第一P型晶体管的漏极，以其漏极耦接该第二P型晶体管的栅极，且该第七P型晶体管的栅极由该输入信号控制；以及

一第八P型晶体管，以其源极耦接该第二P型晶体管的漏极，以其漏极耦接该第一P型晶体管的栅极，且该第八P型晶体管的栅极由该反相输入信号控制。