[发明专利]包含Cu-Ga合金的溅射靶的制造方法无效
| 申请号： | 201010539266.5 | 申请日： | 2010-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN102049578A | 公开（公告）日： | 2011-05-11 |
| 发明（设计）人： | 山下和贵;熊谷俊昭 | 申请（专利权）人： | 住友化学株式会社 |
| 主分类号： | B23H5/00 | 分类号： | B23H5/00;B23H7/02 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 蔡晓菡;高旭轶 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 包含 cu ga 合金 溅射 制造 方法 | ||
1.包含Cu-Ga合金的溅射靶的制造方法，其特征在于，
通过电火花线加工，将Cu-Ga合金锭切断成想得到的溅射靶的厚度，
对得到的Cu-Ga合金切断片的面中的至少成为溅射面的平面进行粗研磨，
利用电火花线加工，将得到的粗研磨后的切断片切断，加工成溅射靶的形状，
接着，将溅射靶形状的切断片的成为溅射面的平面研磨至期望的表面平滑度。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，
Cu-Ga合金锭中Ga的组成比是10摩尔％～50摩尔％。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，
Cu-Ga合金锭的形状是长方体，以长方体的最短边与切断面相交的方式将该Cu-Ga合金锭切断。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的方法，其特征在于，
在对平面进行粗研磨时，使用选自带式打磨机、盘磨机和直磨机中的任一种研磨机。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的方法，其特征在于，
粗研磨后的平面的表面粗糙度Ra是1μm以下。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的方法，其特征在于，
对溅射靶形状的切断片的、由成为溅射面的平面和其它侧面的2个面构成的边缘部进行倒角加工，接着对倒角加工后的成为溅射面的平面进行研磨。
7.根据权利要求1～6中任一项所述的方法，其特征在于，
上述倒角加工是将边缘部倒角成R0.31.0的加工。
8.根据权利要求1～7中任一项所述的方法，其特征在于，
上述倒角加工是将边缘部倒角成C0.3～1.0的加工。
9.根据权利要求1～8的任一项所述的方法，其特征在于，
在对溅射靶形状的切断片进行研磨时，使用轨道打磨机作为研磨机。
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