[发明专利]Si/Mn27Si47核壳结构纳米线阵列的制备方法

权利要求书

1.一种Si/Mn₂₇Si₄₇核壳结构纳米线阵列的制备方法，其特征是，该方法包括以下步骤：

1)采用化学刻蚀的方法在单晶硅基片表面刻蚀出垂直定向站立排列的硅纳米线阵列；

2)将步骤1)得到的表面刻蚀出垂直定向站立排列的硅纳米线阵列的单晶硅基片置于MnCl₂的乙醇溶液中浸泡，取出后晾干；

3)将步骤2)晾干的单晶硅基片放入氧化铝瓷舟中，再将氧化铝瓷舟放入管式炉的中心；向管式炉中通入惰性气体作为保护气体，管式炉内的压强为70Pa；将管式炉加热到温度为750℃，在温度为750℃下保温300分钟，在单晶硅基片上面得到Si/Mn₂₇Si₄₇核壳结构纳米线阵列。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征是：步骤2)中所述的MnCl₂的乙醇溶液的浓度为0.1～1mol/L。

3.根据权利要1所述的方法，其特征是：步骤2)中所述的浸泡的时间为10分钟。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征是：步骤3)所述的惰性气体的流量为100sccm。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征是：所述的Si/Mn₂₇Si₄₇核壳结构纳米线阵列的Mn₂₇Si₄₇壳层为单晶结构，纳米线的直径为100～300nm，长度为10μm。