[发明专利]低效太阳能电池处理方法有效
申请号: | 201010538139.3 | 申请日: | 2010-11-09 |
公开(公告)号: | CN102468363A | 公开(公告)日: | 2012-05-23 |
发明(设计)人: | 罗军;郭建东;樊选东;黄炯钰;孙伟 | 申请(专利权)人: | 浚鑫科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 逯长明 |
地址: | 214443 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 低效 太阳能电池 处理 方法 | ||
技术领域
本发明涉及太阳能电池的生产加工,更具体地说,涉及一种低效太阳能电池处理方法。
背景技术
晶体硅太阳能电池的背电极、背电场位于太阳能电池的背面,形成硅电池的背电场和下电极,之后与太阳能电池的上电极相配合,可以将太阳能电池产生的电能传送给外界。
目前太阳能电池生产过程一般为,将采用银浆印刷后正电极和背电极,以及采用铝浆印刷后背电场,经过烘干、烧结,以完成电池片的生产,但是采用此种方法生产出的电池片往往会出现一定数量的转换效率低于16%,串联电阻大于10毫欧的等外品,也就是等外低效电池片。
现有技术中处理上述等外低效电池片的方法就是通过分拣测试后,将上述等外低效电池片筛选出来,直接按照等外低效产品进行入库包装,这种处理方式没有充分挖掘出电池片的转换效率,降低了经济效益。
发明内容
本发明实施例提供了一种低效太阳能电池处理方法,提高了晶体硅太阳能电池片的转换效率,提高了经济效益。
为实现上述目的,本发明实施例提供了如下技术方案:
一种低效太阳能电池片处理方法,包括:
筛选出中间区域未烧结好的低效太阳能电池片;
将筛选出的电池片进行重新烧结,以提高所述筛选出的电池片的转换效率,所述重新烧结的温度低于正常烧结温度。
优选的,所述筛选出的电池片为烧结过程中,因烧结炉内气体成分发生变化引起的中间区域未烧结好低效太阳能电池片。
优选的,使用电致发光缺陷检测设备筛选出中间区域未烧结好的低效太阳能电池片。
优选的,所述重新烧结的背场温度低于575℃。
优选的,所述重新烧结的背场温度高于450℃。
优选的,该方法还包括:
将重新烧结后的电池片进行分拣测试,按照转换效率对所述重新烧结后的电池片进行不同的包装。
与现有技术相比,上述技术方案具有以下优点:
本发明实施例提供的低效太阳能电池处理方法,通过筛选出中间区域未烧结好的低效太阳能电池片,并对筛选出的电池片进行重新返烧,由于筛选出的电池片缺陷是由于在烧结过程中烧结炉内气体氛围的扰动而导致的电池片烧结缺陷,这些烧结缺陷又导致转换效率低,因此以低于正常烧结温度进行重新返烧,可在中间区域重新形成表面光滑的Al-Si合金层,以修复正常烧结过程中产生的缺陷,从而提高了晶体硅太阳能电池片的转换效率,提高了经济效益。
附图说明
通过附图所示,本发明的上述及其它目的、特征和优势将更加清晰。在全部附图中相同的附图标记指示相同的部分。并未刻意按实际尺寸等比例缩放绘制附图,重点在于示出本发明的主旨。
图1为本发明实施例公开的低效太阳能电池处理方法的流程图;
图2为本发明实施例筛选出的中间区域未烧结好的电池片的电致发光效果图;
图3为本发明实施例对筛选出的电池片进行处理后的电池片的电致发光效果图。
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂,下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。
在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明,但是本发明还可以采用其他不同于在此描述的其它方式来实施,本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似推广,因此本发明不受下面公开的具体实施例的限制。
其次,本发明结合示意图进行详细描述,在详述本发明实施例时,为便于说明,表示器件结构的剖面图会不依一般比例作局部放大,而且所述示意图只是示例,其在此不应限制本发明保护的范围。此外,在实际制作中应包含长度、宽度及深度的三维空间尺寸。
正如背景技术部分所述,现有技术对低效太阳能电池的处理方法,只是简单的将低效的电池片按照等外低效进行入库包装,并没有考虑对低效太阳能电池片进行进一步处理以提高其转换效率。
发明人研究发现,导致电池片转换效率低的原因有多种,但是,其中大部分中间区域未烧结好的低效电池片的产生,主要是由烧结过程中烧结炉内的气体成分发生变化而引起的,如在印刷过程中突然更换印刷网板,由于印刷网板的湿度和重量发生变化,以及转换印刷网板时短时间的停顿,导致烧结炉内的气体成分发生变化,而由于气体成分发生变化,造成的短时间停顿后重新进行烧结的电池片会出现中间区域烧结不完全或不够光滑,进而导致转换效率低。
基于上述原因,发明人研究发现,上述中间区域未烧结好的电池片再经过相应的处理,还是可以提高其转换效率的,下面对本发明的方案进行详细描述。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的