[发明专利]负载驱动装置

权利要求书

1.一种负载驱动装置，包括：

输出晶体管，所述输出晶体管被耦合在第一电源线和输出端子之间，所述输出端子被构造为与负载相耦合；

保护晶体管，所述保护晶体管被提供在所述输出晶体管的栅极和第二电源线之间，并且当被耦合在所述第一电源线和所述第二电源线之间的电源的极性被倒置时使所述输出晶体管进入导通状态；以及

背栅控制电路，当所述电源的极性正常时，在待机模式下，所述背栅控制电路控制所述第二电源线和所述保护晶体管的背栅进入导通状态。

2.根据权利要求1所述的负载驱动装置，其中当所述电源的极性被倒置时，所述背栅控制电路将根据所述第一电源线的电压的电压提供到所述保护晶体管的背栅。

3.根据权利要求1或者2所述的负载驱动装置，其中所述背栅控制电路包括第一晶体管，所述第一晶体管根据所述第一电源线的电压控制所述第二电源线和所述保护晶体管的背栅之间的导通/非导通。

4.根据权利要求3所述的负载驱动装置，其中所述第一晶体管包括每一个均被耦合到所述保护晶体管的背栅的第一端子和背栅、被耦合到所述第一电源线的栅极、以及被耦合到所述第二电源线的第二端子。

5.根据权利要求1或者2所述的负载驱动装置，其中所述输出晶体管、所述保护晶体管、以及所述背栅控制电路形成在N型半导体衬底上。

6.根据权利要求3所述的负载驱动装置，其中所述背栅控制电路进一步包括第二晶体管，所述第二晶体管根据所述第二电源线的电压控制所述输出端子和所述保护晶体管的背栅之间的导通/非导通。

7.根据权利要求4所述的负载驱动装置，其中所述背栅控制电路进一步包括第二晶体管，所述第二晶体管包括被耦合到所述输出端子的第一端子、被耦合到所述第一晶体管的背栅和第一端子的第二端子和背栅、以及被耦合到所述第二电源线的栅极。

8.根据权利要求1或者2所述的负载驱动装置，进一步包括第一电阻器，所述第一电阻器被提供在所述背栅控制电路和所述保护晶体管的背栅之间。

9.根据权利要求8所述的负载驱动装置，其中所述第一电阻器用作扩散电阻器。

10.根据权利要求8所述的负载驱动装置，其中所述输出晶体管、所述保护晶体管、所述第一电阻器、以及所述背栅控制电路形成在N型半导体衬底上。

11.根据权利要求1或者2所述的负载驱动装置，进一步包括：

限流电阻器，所述限流电阻器被提供在所述背栅控制电路和所述第二电源线之间；和

保护二极管，所述保护二极管具有被耦合到所述背栅控制电路和所述限流电阻器之间的连接节点的阳极，和被耦合到所述第一电源线的阴极。

12.根据权利要求4所述的负载驱动装置，进一步包括：

限流电阻器，所述限流电阻器被提供在所述背栅控制电路和所述第二电源线之间；和

保护二极管，所述保护二极管具有被耦合到所述背栅控制电路和所述限流电阻器之间的连接节点的阳极，和被耦合到所述第一电源线的阴极，

其中所述背栅控制电路的第一晶体管的第二端子被耦合到所述保护二极管和所述限流电阻器之间的连接节点。

13.根据权利要求1或者2所述的负载驱动装置，进一步包括：

放电晶体管，所述放电晶体管被耦合在所述输出晶体管的栅极和源极之间，并且当所述输出晶体管进入非导通状态时使所述输出晶体管的栅极和源极进入导通状态。

14.根据权利要求13所述的负载驱动装置，进一步包括：

第二电阻器，所述第二电阻器被耦合在所述放电晶体管的背栅和所述输出晶体管的源极之间。

15.根据权利要求1或者2所述的负载驱动装置，进一步包括：

第一电阻器，所述第一电阻器被提供在所述第二电源线和所述保护晶体管的背栅之间。

16.根据权利要求15所述的负载驱动装置，进一步包括：

保护二极管，所述保护二极管具有阳极和被耦合到所述第一电源线的阴极；和

限流电阻器，所述限流电阻器被提供在所述保护二极管的阳极和所述第二电源线之间，

其中所述第一电阻器被提供在所述保护二极管和所述限流电阻器之间的连接节点与所述保护晶体管的背栅之间。