[发明专利]空气桥式纳米器件的制备方法

权利要求书

1.一种空气桥式纳米器件的制备方法，其特征在于，包括：

提供衬底，在所述衬底上有多个不连续的、沿着所述衬底的表面延伸的纳米支撑体，所述纳米支撑体的横截面形状为半圆形；

提供带有多个纳米缝隙的掩膜；

将所述掩膜覆盖在所述衬底上的纳米支撑体上；

在所述掩膜的纳米缝隙处沉积纳米导电材料，所述纳米导电材料同时沉积在所述多个纳米支撑体的表面和相邻的纳米支撑体之间的衬底上，移除所述纳米支撑体和掩膜，得到空气桥式纳米器件。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，还包括：

在所述衬底与所述纳米支撑体之间形成纳米线条，所述纳米线条的延展方向与所述纳米缝隙的延展方向呈60～90°。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述纳米缝隙的延伸方向与所述纳米支撑体的延伸方向大体垂直。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述多个纳米支撑体平行排列。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述多个纳米支撑体由如下方法制备：

步骤a1)在衬底上涂覆光刻胶的有机溶液，烘干；

步骤b1)预设曝光形状，利用电子束曝光系统将步骤a1)得到的产物曝光、显影和定影，得到多个纳米预制体；

步骤c1)将所述多个纳米预制体加热至熔融状态，重塑成型，冷却，得到纳米支撑体。

6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述步骤a1)具体为：

在衬底上以2000～6000转/秒的速度旋涂光刻胶的有机溶液，在170～220℃烘烤2～8分钟。

7.根据权利要求5述的制备方法，其特征在于，所述步骤b1)具体为：

预设曝光形状为矩形，利用电子束曝光系统，将步骤a1)得到的产物在10～20KeV的加速电压下，以70～210uAS/cm²的曝光剂量、22～28nm的最小步距曝光，显影0.5～2分钟，定影0.5～2分钟，得到多个纳米预制体。

8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述带有多个纳米缝隙的掩膜按如下方法制备：

步骤a2)在衬底上涂覆光刻胶的有机溶液，烘干；

步骤b2)预设曝光形状，利用电子束曝光系统将步骤a2)得到的产物曝光、显影和定影，然后在碱性溶液中水解，得到带有多个纳米缝隙的掩模。

9.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述在掩膜的纳米缝隙处沉积纳米导电材料具体为：

利用氩离子溅射沉积、激光溅射沉积、热蒸发沉积或电子束热蒸发沉积的方法在掩模的纳米缝隙处沉积80～300nm厚度的纳米导电材料，蒸发电流为45～70A，蒸发速率为

10.根据权利要求1～9任一项所述的制备方法，其特征在于，所述衬底为厚度为100～1000nm的Si与SiO₂构成的复合衬底。