[发明专利]介电陶瓷组合物及具有该组合物的多层陶瓷电容器

权利要求书

1.一种介电陶瓷组合物，所述介电陶瓷组合物包括：

基粉，由组合物式Ba_m(Ti_1-xZr_x)O₃表示，其中，0.995≤m≤1.010且0＜x≤0.10；

第一附加组分，为包括Mg、Sr、Ba和Zr中的至少一种金属的氧化物或碳氧化物，第一附加组分中金属的含量在每100mol的基粉0.05mol至6.00mol的范围内；

第二附加组分，为包括Sc、Y、La、Ac、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu中的至少一种金属的氧化物，第二附加组分中金属的含量在每100mol的基粉0.20mol至3.00mol的范围内；

第三附加组分，为包括Cr、Mo、W、Mn、Fe、Co和Ni中的至少一种金属的氧化物，第三附加组分中金属的含量在每100mol的基粉0.05mol至0.50mol的范围内；

第四附加组分，为包括V、Nb和Ta中的至少一种金属的氧化物，第四附加组分中金属的含量在每100mol的基粉0.05mol至0.35mol的范围内；

第五附加组分，为包括Si和Al中的至少一种的氧化物，第五附加组分中Si和/或Al的含量在每100mol的基粉0.50mol至4.00mol的范围内。

2.如权利要求1所述的介电陶瓷组合物，其中，第一附加组分中的金属与第五附加组分中的Si和/或Al的含量比在0.75至1.50的范围内。

3.如权利要求1所述的介电陶瓷组合物，其中，第三附加组分和第四附加组分中的金属的总含量是每100mol基粉为0.1mol至0.8mol。

4.如权利要求1所述的介电陶瓷组合物，其中，第一附加组分至第五附加组分中的至少一种具有等于或大于2.0m²/g的比表面积。

5.如权利要求1所述的介电陶瓷组合物，其中，第一附加组分和第五附加组分以化合物的形式添加。

6.一种多层陶瓷电容器，所述多层陶瓷电容器包括陶瓷烧结体及第一外电极和第二外电极，陶瓷烧结体具有介电层及交替地堆叠在陶瓷烧结体中的第一内电极和第二内电极，第一外电极和第二外电极设置在陶瓷烧结体的两端并电连接到第一内电极和第二内电极，其中，介电层包含：

基粉，由组分式Ba_m(Ti_1-xZr_x)O₃表示，其中，0.995≤m≤1.010且0＜x≤0.10；

第一附加组分，为包括Mg、Sr、Ba和Zr中的至少一种金属的氧化物或碳氧化物，第一附加组分中金属的含量在每100mol的基粉0.05mol至6.00mol的范围内；

第二附加组分，为包括Sc、Y、La、Ac、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu中的至少一种金属的氧化物，第二附加组分中金属的含量在每100mol的基粉0.20mol至3.00mol的范围内；

第三附加组分，为包括Cr、Mo、W、Mn、Fe、Co和Ni中的至少一种金属的氧化物，第三附加组分中金属的含量在每100mol的基粉0.05mol至0.50mol的范围内；

第四附加组分，为包括V、Nb和Ta中的至少一种金属的氧化物，第四附加组分中金属的含量在每100mol的基粉0.05mol至0.35mol的范围内；

第五附加组分，为包括Si和Al中的至少一种的氧化物，第五附加组分中Si和/或Al的含量在每100mol的基粉0.50mol至4.00mol的范围内。

7.如权利要求6所述的多层陶瓷电容器，其中，第一内电极和第二内电极包含Ni或Ni合金。

8.如权利要求6所述的多层陶瓷电容器，其中，第一附加组分中的金属与第五附加组分中的Si和/或Al的含量比在0.75至1.50的范围内。

9.如权利要求6所述的多层陶瓷电容器，其中，第三附加组分和第四附加组分中的金属的总含量是每100mol的基粉为0.1mol至0.8mol。

10.如权利要求6所述的多层陶瓷电容器，其中，第一附加组分至第五附加组分中的至少一种具有等于或大于2.0m²/g的比表面积。

11.如权利要求6所述的多层陶瓷电容器，其中，第一附加组分和第五附加组分以化合物的形式添加。