[发明专利]圆片清洗方法

说明书

【技术领域】

本发明涉及半导体工艺，特别涉及一种圆片清洗方法。

【背景技术】

半导体工艺中，需要采用蚀刻液对圆片进行清洗，以去除干法蚀刻后残留的多聚物(PLOYMER)，一般采用有机胺碱溶剂EKC进行清洗。然而该工序完成后有时会出现圆片晶背发花的严重异常现象，且晶背异常图形主要含有多种机器手臂形状。

【发明内容】

基于此，有必要提供一种圆片清洗方法，减少圆片晶背产生缺陷。

一种圆片清洗方法，包括以下步骤：

检测相邻两次蚀刻液换液之间的时间间隔是否大于等于预设时间，若是，则采用蚀刻液对圆片进行清洗。

优选地，所述方法还包括步骤：当检测所述时间间隔小于预设时间时，继续进行检测。

优选地，所述蚀刻液为有机胺碱溶剂。

优选地，所述有机胺碱溶剂为EKC270，所述预设时间为4小时。

优选地，所述圆片包括通孔层、金属层和焊盘层，所述蚀刻液对圆片进行清洗的具体步骤包括：

采用蚀刻液清洗所述通孔层。

优选地，所述清洗通孔层的时间为40分钟。

优选地，所述蚀刻液对圆片进行清洗的具体步骤包括：

采用蚀刻液清洗所述金属层。

优选地，所述清洗金属层的时间为20分钟。

优选地，所述蚀刻液对圆片进行清洗的具体步骤包括：

采用蚀刻液清洗所述焊盘层。

优选地，所述清洗焊盘层的时间为40分钟。

上述圆片清洗方法，预先检测相邻两次蚀刻液换液之间的时间间隔是否大于等于预设时间，若是，则采用蚀刻液对圆片进行清洗，避免了刚换蚀刻液对圆片背面的多晶硅介质层过腐蚀，而导致晶背发花。工艺流程简单，不需要更换或优化设备，不会增加成本。

【附图说明】

图1为一个实施例中圆片清洗方法流程图；

图2为一个实施例中EKC270对多晶硅介质的蚀刻速率示意图；

图3为一个实施例中EKC270对氧化层的蚀刻速率示意图；

图4为一个实施例中EKC270对含氧化层的多晶硅介质清洗的状态示意图。

【具体实施方式】

如图1所示，一种圆片清洗方法，包括以下步骤：

步骤S10，检测相邻两次蚀刻液换液之间的时间间隔是否大于等于预设时间，若是，则执行步骤S20，若否，则继续检测。即在进行传统的蚀刻液清洗步骤S20前增加步骤S10。该预设时间是根据蚀刻液对圆片的蚀刻速率的实验结果设定。以DuPont Electronic Technologies公司下属的EKC Technology公司生产的EKC270为蚀刻液，则该预设时间根据实验结果为4小时，该时间可有适当的偏差。另外，蚀刻液的生命周期(life time)为相邻两次蚀刻液换液的时间间隔，可预先设定。一般圆片在蚀刻液清洗后，在其圆片的晶背表面会留下发花，晶背包括多晶硅介质(U-PLOY)和氧化层(OXIDE)介质。

如图2所示，实验表明，当距上次EKC270(65℃～75℃)的换液的时间小于4小时时，即相邻两次EKC270换液之间的时间间隔小于4小时时，对多晶硅介质的腐蚀速率快且均一性差，随着距上次EKC270的换液的时间的增加，EKC270对多晶硅介质的腐蚀速率逐渐降低，当距上次EKC270的换液的时间大于等于4小时时，腐蚀速率约为这样腐蚀速率较慢，且相对稳定，腐蚀均一性较好，不易形成晶背的发花，减少了晶背缺陷的出现。

EKC270的成分包括胺基有机物(R-NH₂)，异丙醇胺(MIPA)，椰油酰胺(MEA)，二乙二醇胺(DGA)，己二胺(HDA)，邻苯二酚(Catechol)和水(H₂O)。EKC270对多晶硅介质具有腐蚀反应，腐蚀的速率取决于水的含量，如表1，水的含量越高，则EKC270对多晶硅介质腐蚀速率越快。

表1

另外，如图3所示，EKC270对氧化层介质的腐蚀速率很低，大约为如图4为EKC270对含氧化层的多晶硅介质清洗时的结果示意图。

步骤S20，采用蚀刻液清洗圆片。圆片的通孔层(VIA)、金属层(METAL)和焊盘层(PAD)经过干法蚀刻(dry etch)后，在通孔层、金属层和焊盘层上产生多聚物(PLOYMER)。采用蚀刻液对圆片进行清洗的具体步骤包括：

采用蚀刻液清洗通孔层上产生的多聚物，清洗时间为40分钟。