[发明专利]基于硫醇-烯的连续浮雕微光学元件高精度紫外压印方法有效
| 申请号： | 201010533159.1 | 申请日： | 2010-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN102053489A | 公开（公告）日： | 2011-05-11 |
| 发明（设计）人： | 金鹏;刘楠;王冠雄;谭久彬 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | G03F7/00 | 分类号： | G03F7/00;G03F7/027;B81C1/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 150001 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 硫醇 连续 浮雕 微光 元件 高精度 紫外 压印 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种基于硫醇-烯的连续浮雕微光学元件高精度紫外压印方法，在传统连续浮雕结构微光学元件紫外压印工艺中，使用硫醇-烯类紫外光引发高分子材料作为抗蚀剂使用，其特征在于通过调节压印压力、控制残胶层厚度的方法使抗蚀剂固化产生的收缩应力通过流体流动的方式得以弛豫，使连续浮雕结构微光学元件的收缩误差降低至3％以下，残胶层厚度为500-1000nm。
2.根据权利要求1所述的基于硫醇-烯的连续浮雕微光学元件高精度紫外压印方法，其特征在于所用的硫醇-烯类紫外光引发高分子材料具有小于15％的体积收缩率。
3.根据权利要求1所述的基于硫醇-烯的连续浮雕微光学元件高精度紫外压印方法，其特征在于所用硫醇-烯类紫外光引发高分子材料可用于混合气体的反应离子刻蚀工艺，实现连续浮雕结构的图形传递。
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