[发明专利]刻蚀残留的检测方法和系统、谱线模型的建立方法和系统

权利要求书

1.一种刻蚀残留的检测方法，其特征在于，包括：

获取待检测硅片的谱线；

根据与所述待检测硅片相同刻蚀工艺的谱线模型，检测所述待检测硅片的刻蚀残留；所述谱线模型为依据与所述刻蚀工艺相应的完整刻蚀硅片的多个样本谱线建模得到，其中，所述完整刻蚀硅片为不带有刻蚀残留的硅片。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，若所述待检测硅片的谱线对应于完整刻蚀工艺，则采用对应于完整刻蚀工艺的谱线模型；否则，若所述待检测硅片的谱线对应于刻蚀工艺步骤，则采用对应于刻蚀工艺步骤的谱线模型。

3.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述检测所述待检测硅片的刻蚀残留的步骤，包括：

根据所述谱线模型所包括的多个时间刻度，对应划分所述待检测硅片的谱线的时间轴上的时间刻度，并获取对应每个时间刻度的待检测点；且所述谱线模型的每个时间刻度对应一中心点；

在对应时间刻度下，逐一获取待检测点与中心点之间的距离；

判断是否有预置数目的连续多个所述距离均大于差异度距离，若是，则判定所述待检测硅片出现刻蚀残留。

4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，依据如下步骤获取差异度距离：

针对多个所述样本谱线，分别计算每个时间刻度的Y坐标容差，并以所有时间刻度Y坐标容差的均值作为所述差异度距离，其中，所述Y坐标容差为Y坐标最大值与Y坐标最小值之差。

5.一种谱线模型的建立方法，其特征在于，包括：

获取与待建模刻蚀工艺相应的完整刻蚀硅片的多个样本谱线，其中，所述完整刻蚀硅片为不带有刻蚀残留的硅片；

依据多个所述样本谱线构造谱线模型。

6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述依据多个所述样本谱线构造谱线模型的步骤，包括：

将多个所述样本谱线的时间轴分别划分为多个时间刻度；

分别获取对应每个时间刻度的中心点；

组合所有时间刻度的中心点形成谱线模型。

7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述分别获取对应每个时间刻度的中心点的步骤，包括：

获取对应同一时间刻度的每个样本谱线的样本点；

选取多个样本点中，其一样本点分别到其他样本点的距离总和最小的样本点。

8.如权利要求5至7中任一项所述的方法，其特征在于，所述谱线模型包括对应于完整刻蚀工艺的谱线模型和对应于刻蚀工艺步骤的谱线模型。

9.如权利要求5至7中任一项所述的方法，其特征在于，还包括：

从多个所述样本谱线中，获取工艺开始时间最早的第一样本谱线及其相应的最早工艺开始时间；

以所述最早工艺开始时间为基准点，对除所述第一样本谱线之外的其他样本谱线进行时间平移。

10.一种刻蚀残留的检测系统，其特征在于，包括：

获取模块，用于获取待检测硅片的谱线；

检测模块，用于根据与所述待检测硅片相同刻蚀工艺的谱线模型，检测所述待检测硅片的刻蚀残留；所述谱线模型为依据与所述刻蚀工艺相应的完整刻蚀硅片的多个样本谱线建模得到，其中，所述完整刻蚀硅片为不带有刻蚀残留的硅片。

11.如权利要求10所述的系统，其特征在于，所述检测模块，具体用于在所述待检测硅片的谱线对应于完整刻蚀工艺时，采用对应于完整刻蚀工艺的谱线模型；否则，在所述待检测硅片的谱线对应于刻蚀工艺步骤时，采用对应于刻蚀工艺步骤的谱线模型。

12.如权利要求10或11所述的系统，其特征在于，所述检测模块包括：

待检测点获取子模块，用于根据所述谱线模型所包括的多个时间刻度，对应划分所述待检测硅片的谱线的时间轴上的时间刻度，并获取对应每个时间刻度的待检测点；且所述谱线模型的每个时间刻度对应一中心点；

距离获取子模块，用于在对应时间刻度下，逐一获取待检测点与中心点之间的距离；及

判断子模块，用于判断是否有预置数目的连续多个所述距离均大于差异度距离，若是，则判定所述待检测硅片出现刻蚀残留。