[发明专利]一种半导体器件的栅极形成方法有效
| 申请号： | 201010532653.6 | 申请日： | 2010-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN102468147B | 公开（公告）日： | 2017-11-28 |
| 发明（设计）人： | 何永根;何有丰 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 栅极 形成 方法 | ||
1.一种半导体器件的栅极形成方法，其特征在于，包含：
提供衬底，所述衬底表面包含电介质层和多晶硅层，所述多晶硅为未掺杂N型元素、P型元素的多晶硅；
在所述衬底表面形成栅极；
形成覆盖所述衬底和栅极的介质层，并进行平坦化处理，直至暴露所述栅极，所述介质层的材料是无定形碳；
在所述介质层以及栅极表面形成光刻胶层掩膜，采用离子注入的方法仅对所述栅极进行掺杂；
形成覆盖栅极侧壁的氧化层。
2.依据权利要求1的栅极形成方法，其特征在于，在所述衬底表面形成栅极的步骤包括：
在多晶硅层表面涂布光刻胶，并图案化所涂布的光刻胶；
以所形成的光刻胶图案为掩膜，刻蚀多晶硅层以及电介质层；
去除多晶硅层表面的光刻胶图案。
3.依据权利要求1的栅极形成方法，其特征在于，采用灰化工艺去除光刻胶图案。
4.依据权利要求1的栅极形成方法，其特征在于，对NMOS的所述栅极掺杂的材料是磷。
5.依据权利要求1的栅极形成方法，其特征在于，对PMOS的所述栅极掺杂的材料是硼。
6.依据权利要求1的栅极形成方法，其特征在于，覆盖所述衬底和栅极的介质层的厚度是衬底表面的电介质层和多晶硅层的厚度之和的1.1倍。
7.依据权利要求1的栅极形成方法，其特征在于，对所述栅极掺杂的步骤包括：
在介质层表面形成光刻胶层，所述光刻胶层的开口是栅电极层的宽度的1.0～1.1倍；
以所述光刻胶层为掩膜，对所述栅电极层进行掺杂；
去除光刻胶层。
8.据权利要求1的栅极形成方法，其特征在于，形成覆盖栅极侧壁的氧化层的步骤包括去除覆盖所述衬底和栅极的介质层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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