[发明专利]一种陶瓷基板LED装置无效
| 申请号: | 201010532599.5 | 申请日: | 2010-11-04 |
| 公开(公告)号: | CN102468395A | 公开(公告)日: | 2012-05-23 |
| 发明(设计)人: | 周超瑛 | 申请(专利权)人: | 浙江雄邦节能产品有限公司 |
| 主分类号: | H01L33/48 | 分类号: | H01L33/48;H01L33/64;H01L33/56;H01L25/075 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 310052 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 陶瓷 led 装置 | ||
1.一种陶瓷基板LED装置,包括:LED晶片、承载晶片的陶瓷基板、连接LED晶片的电路层、涂覆于LED晶片上的荧光粉混合胶、LED晶片与承载基板的结合层,其特征在于该装置还包括位于陶瓷基板承载LED一侧的辐射散热薄膜及位于辐射散热薄膜之上的纳米陶瓷釉涂层。
2.如权利要求1所述的陶瓷基板LED装置,其特征在于所述涂覆于LED上的荧光粉混合胶包括荧光粉、散射粒子、硅胶。
3.如权利要求2所述的陶瓷基板LED装置,其特征在于所述荧光粉混合胶为不同浓度多层分布,紧邻LED晶片的第一层与第二层内荧光粉的密度为1∶4,之后各层荧光粉密度前一层的1/3。
4.如权利要求2所述的陶瓷基板LED装置,其特征在于所述荧光粉、散射粒子、硅胶质量比为1∶4∶100;所述散射粒子为纳米三氧化化二铝、二氧化硅、或氧化钙粒子。
5.如权利要求1所述的陶瓷基板LED装置,其特征在于所述纳米釉层由氧化铝、氮化铝、氧化锆及氟化钙之一的纳米颗粒烧结而成。
6.如权利要求1所述的陶瓷基板LED装置,其特征在于所述热辐射薄膜为金属与非金属的组合物,其中非金属为硼、碳的其中之一的氧化物氮化物;金属为银、铜、锡、铝、钛、铁其中之一,或其中之一的合金,或其中之一的氧化物或卤化物。
7.如权利要求1所述的陶瓷基板LED装置,其特征在于所述陶瓷基板上具有密致的微孔。
8.如权利要求1所述的陶瓷基板LED装置,其特征在于所述的LED晶片与承载基板的结合层为银胶。
9.如权利要求1所述的陶瓷基板LED装置,其特征在于所述的LED晶片是在蓝宝石基板上形成的。
10.如权利要求1-9之一所述的陶瓷基板LED装置,其特征在于所述的陶瓷基板LED装置还包括覆盖晶片及电路层之上的硅胶或环氧树脂层。
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