[发明专利]一种硅片切割过程中断线的处理方法及装置

权利要求书

1.一种硅片切割过程中断线的处理方法，包括提升、清理、布线和下压步骤，其特征在于，在下压步骤前还包括冲洗步骤，其中： 

⑴ 提升：慢慢提起硅棒，使之升至切割线网以上；

⑵ 清理：检查并清理主辊和切割线；

⑶ 布线：重新布置切割线网；

⑷ 冲洗：对准切割缝进行冲洗，断线时已切割深度小于50mm的用砂浆冲洗或者断线时已切割深度大于50mm的用水冲洗，直至完全冲洗干净；

⑸ 下压：下降硅棒，对刀，当硅棒下降至接触切割线网时，仔细检查有无夹片现象，务使切割线对准切割缝，并进一步下压至切割位置。

2.根据权利要求1所述的硅片切割过程中断线的处理方法，其特征在于，所述的提升步骤⑴中，提起硅棒的速率为50mm/min。

3.一种实施权利要求1所述方法的装置，其特征在于，它用于冲洗步骤，由一组五根设有若干喷射孔且尾端密封的喷管组成，所述喷射孔垂直于喷管；其中喷管Ⅰ两根，喷管Ⅱ、喷管Ⅲ、喷管Ⅳ各一根，所述的喷管Ⅰ设有一排喷射孔，所述的喷管Ⅱ设有两排喷射方向呈180°夹角的喷射孔、所述的喷管Ⅲ设有两排喷射方向呈120°夹角的喷射孔、所述的喷管Ⅳ设有两排喷射方向呈90°夹角的喷射孔；所述各喷管设置喷射孔段的长度与被切割硅棒的长度相当，所述喷射孔的孔径为0.8mm～1.2mm，所述喷射孔的间距为1.2mm～1.6mm。

4.根据权利要求3所述的装置，其特征在于，所述各喷管的喷射孔的孔径为1mm，喷射孔的间距为1.5mm。