[发明专利]发光器件和发光器件封装

权利要求书

1.一种发光器件，包括：

发光结构，其包括第二导电型半导体层、在所述第二导电型半导体层上的有源层、以及在所述有源层上的第一导电型半导体层；

介电层，其在通过移除所述发光结构的一部分所限定的腔中；和

在所述介电层上的第二电极层，

其中所述第二电极包括：

在所述介电层上的反射层；和

在所述反射层上的导电层。

2.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述腔通过移除从所述第二导电型半导体层至所述有源层的所述发光结构直至暴露出所述第一导电型半导体层的一部分而形成。

3.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述反射层形成在所述腔的一部分处。

4.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述反射层填充在所述腔中。

5.根据权利要求1所述的发光器件，还包括：在所述第一导电型半导体层上的第一电极，其中所述第一电极与所述腔的一部分在空间上交叠。

6.根据权利要求1所述的发光器件，其中当施加恒定电压时电流流向所述有源层以发光，并且在静电放电时高频通过所述介电层。

7.根据权利要求1所述的发光器件，其中在所述腔的表面上形成预定的粗糙结构。

8.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述介电层在所述腔的侧表面处的厚度厚于在所述腔的底表面处的厚度。

9.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述介电层填充在所述腔的一部分中，并且所述反射层填充在所述腔的其余部分中。

10.一种发光器件，包括：

发光结构，其包括第二导电型半导体层、在所述第二导电型半导体层上的有源层、以及在所述有源层上的第一导电型半导体层；

电容器，其在通过移除所述发光结构的一部分所限定的腔中；和

在所述发光结构上的第一电极，

其中所述电容器包括：

在所述腔上的介电层；和

在所述介电层上的第二电极层。

11.根据权利要求10所述的发光器件，其中所述第二电极层包括：

在所述介电层上的反射层；和

在所述反射层上的导电层。

12.根据权利要求11所述的发光器件，其中所述反射层形成在所述腔的一部分处。

13.根据权利要求11所述的发光器件，其中所述反射层填充在所述腔中。

14.根据权利要求10所述的发光器件，其中所述第一电极与所述腔的一部分在空间上交叠。

15.根据权利要求10所述的发光器件，其中当施加恒定电压时电流流向所述有源层以发光，并且在静电放电时高频通过所述电容器。

16.根据权利要求10所述的发光器件，其中在所述腔的表面上形成预定的凹凸图案。

17.根据权利要求11所述的发光器件，其中所述介电层填充在所述腔的一部分中，并且所述反射层填充在所述腔的其余部分中。

18.根据权利要求10所述的发光器件，其中所述介电层在所述腔的侧表面处的厚度厚于在所述腔的底表面处的厚度。

19.一种发光器件封装，包括：

封装体；

安装在所述封装体中的第三电极层和第四电极层；和

与所述第三电极层和第四电极层电连接的根据权利要求1或10所述的发光器件。