[发明专利]有源像素单元及在基板上形成有源像素单元的方法

权利要求书

1.一种有源像素单元，位于一基板之上，包括：

一浅沟槽隔离结构；

一感光二极管，邻近该浅沟槽隔离结构，其中早于沉积一前金属介电层之前由于基板制造工艺所造成的一第一应力增加了该有源像素单元的一感光二极管的暗态漏电流与白单元数量；

一晶体管，其中该晶体管控制该有源像素单元的操作；以及

一应力层，沉积于该有源像素单元的多个元件之上，其中所述多个元件包括该感光二极管、该浅沟槽隔离结构与该晶体管，其中该应力层具有一第二应力反抵于施加于该基板上的该第一应力，而其中该第二应力降低了起因于该第一应力的该暗态漏电流与该白单元数量。

2.根据权利要求1所述的一有源像素单元，其中该浅沟槽隔离结构包括一衬介电层与一填隙介电层，而其中该衬介电层与该填隙介电层沉积于通过蚀刻所形成的一浅沟槽内。

3.根据权利要求1所述的一有源像素单元，其中该应力层择自由一氮化物层、一氮氧化物层、一氧化物层与一氮化物层所组成的一复合层以及一氧化物层与一氮氧化物层所组成的一复合层所组成的族群，而其中该应力层为该前金属介电层的一部分。

4.根据权利要求1所述的一有源像素单元，其中该第一应力为一压缩应力，而该第二应力为一拉伸应力，而该晶体管为一N型金属氧化物半导体晶体管，且该N型金属氧化物半导体晶体管的载流子迁移率可因该应力层的该拉伸应力而增加。

5.一种有源像素单元，位于一基板之上，包括：

一浅沟槽隔离结构；

一感光二极管，邻近该浅沟槽隔离结构，其中早于沉积一前金属介电层之前由于基板制造工艺所造成的一第一应力增加了该有源像素单元的一感光二极管的暗态漏电流与白单元数量；

一N型金属氧化物半导体晶体管，其中该N型金属氧化物半导体晶体管控制该有源像素单元的操作；以及

一应力层，沉积于该有源像素单元的多个元件之上，其中该应力层为一前金属介电层的一部分，而其中所述多个元件包括该感光二极管、该浅沟槽隔离结构与该晶体管，而其中该感光二极管设置于邻近该浅沟槽隔离结构，而该应力层具有反抵于施加于该基板上的该第一应力的一第二应力，而其中该第二应力降低了起因于该第一应力所造成该暗态漏电流与该白单元数量并增加了该N型金属氧化物半导体晶体管的载流子迁移率。

6.一种在基板上形成有源像素单元的方法，包括：

在该基板上形成一浅沟槽隔离结构，其中在形成该浅沟槽隔离结构时在该基板上施加了一第一应力；

采用拉曼光谱测量该第一应力，其中该第一应力表现出一拉曼峰值偏移数据；

选择具一第二应力的一膜层以作为一应力层，其中该第二应力用于相抵形成该浅沟槽隔离结构时所产生的该第一应力；以及

沉积具有该第二应力的该应力层于该基板上，其中该应力层覆盖了形成于该基板上的该有源像素单元的多个元件，而所述多个元件包括了邻近于该浅沟槽隔离结构的一感光二极管与一晶体管，其中该应力层的沉积造成了该第二应力可施加于该基板上且该第二应力相抵于该第一应力，而其中具有该第二应力的该应力层的沉积降低了暗态漏电流与白单元数量。

7.根据权利要求6所述的在基板上形成有源像素单元的方法，其中在形成该浅沟槽隔离结构之后随即收集该拉曼峰值偏移数据，而该拉曼峰值偏移数据是在该基板上形成该有源像素单元的多个元件后以及在一前金属介电层沉积之前收集得到。

8.根据权利要求6所述的在基板上形成有源像素单元的方法，其中该第一应力为压缩应力而该第二应力为拉伸应力，而该有源像素单元的该晶体管为一N型金属氧化物半导体晶体管，其中该拉伸应力的第二应力增加了该N型金属氧化物半导体晶体管的载流子迁移率。

9.根据权利要求6所述的在基板上形成有源像素单元的方法，其中该应力层为沉积于该有源像素单元的多个元件上的一前金属介电层的一部分，该应力层择自由一氮化物层、一氮氧化物层、一氧化物层与一氮化物层所组成的一复合层与一氧化物层与一氮氧化物层所组成的一复合层所组成的族群，以及该第二应力介于约0.5-1.5GPa。

10.一种在基板上形成有源像素单元的方法，包括：

在该基板上形成一浅沟槽隔离结构，其中在形成该浅沟槽隔离结构时在该基板上施加了一第一应力，其中该第一应力是通过一拉曼峰值偏移数据而量化；以及

沉积具第二应力的一应力层于该基板上，其中该应力层覆盖了形成于该基板上的该有源像素单元的多个元件，而所述多个元件包括了邻近于该浅沟槽隔离结构的一感光二极管与一晶体管，其中该应力层的沉积造成了该第二应力可施加于该基板上，且该第二应力相抵于该第一应力，而其中具有该第二应力的该应力层的沉积降低了暗态漏电流与白单元数量。