[发明专利]半导体元件以及增加半导体元件有效运作面积的方法

权利要求书

1.一种增加半导体元件有效运作面积的方法，其特征在于，包含以下步骤：

沉积第一导电层在基板上；

使用激光在第一导电层中刻划出多个第一划线，该多个第一划线被刻划至第一导电层的底面并露出部分基板，每一个第一划线是由多个第一孔洞所组成，每一个第一孔洞是与相邻第一孔洞部分重叠；

沉积至少一半导体材料层在第一导电层上以及该多个第一划线中；

使用激光在半导体材料层中刻划出多个第二划线，该多个第二划线被刻划至半导体材料层的底面并露出部分第一导电层，每一个第二划线是由多个第二孔洞所组成；

沉积第二导电层在半导体材料层上以及该多个第一划线和该多个第二划线中；以及

使用激光在第二导电层中刻划出多个第三划线，该多个第三划线被刻划至该半导体材料层的底面并露出部分第一导电层，每一个第三划线是由多个第三孔洞所组成，每一个第三孔洞是与相邻第三孔洞部分重叠；

其中第二孔洞经缩小，以缩小第一划线和邻近的第二划线之间的距离以及第三划线和邻近的第二划线之间的距离，藉此增加半导体元件有效运作面积。

2.根据权利要求1所述的增加半导体元件有效运作面积的方法，其特征在于，每一个第二孔洞是与相邻第二孔洞部分重叠。

3.根据权利要求1所述的增加半导体元件有效运作面积的方法，其特征在于，每一个第二孔洞是与相邻第二孔洞分隔一段距离。

4.根据权利要求3所述的增加半导体元件有效运作面积的方法，其特征在于，该每一个第二孔洞的中心点和相邻第二孔洞的中心点的最短距离为至少20μm。

5.根据权利要求1所述的增加半导体元件有效运作面积的方法，其特征在于，第二孔洞的中心点至该孔洞的边际界线的最短距离是小于20μm。

6.根据权利要求1所述的增加半导体元件有效运作面积的方法，其特征在于，第一孔洞的中心点至该孔洞的边际界线的最短距离是5至20μm。

7.根据权利要求1所述的增加半导体元件有效运作面积的方法，其特征在于，第三孔洞的中心点至该孔洞的边际界线的最短距离是15至40μm。

8.根据权利要求1所述的增加半导体元件有效运作面积的方法，其特征在于，第一划线和邻近的第二划线之间的距离及/或第三划线和邻近的第二划线之间的距离是小于80μm。

9.根据权利要求1所述的增加半导体元件有效运作面积的方法，其特征在于，藉由第二孔洞所形成的电路通道的导电度为至少50S，该电路通道让第一导电层与第二导电层接触。

10.一种半导体元件，其有效运作面积增加，其特征在于，该半导体元件包含：

基板；

第一导电层，其形成在基板上且经受激光刻划，该激光刻划且刻划至第一导电层的底面并露出部分基板，以形成多个第一划线，每一个第一划线是由多个第一孔洞所组成，每一个第一孔洞是与相邻第一孔洞部分重叠；

至少一半导体材料层，其形成在第一导电层上且经受激光刻划，该激光刻划且刻划至半导体材料层的底面并露出部分第一导电层，以形成多个第二划线，每一个第二划线是由多个第二孔洞所组成；以及

第二导电层，其形成在半导体材料层上经受激光刻划，该激光刻划且刻划至半导体材料层的底面并露出部分第一导电层，以形成多个第三划线，每一个第三划线是由多个第三孔洞所组成，每一个第三孔洞是与相邻第三孔洞部分重叠，

其中第二孔洞经缩小，以缩小第一划线和邻近的第二划线之间的距离以及第三划线和邻近的第二划线之间的距离，藉此增加半导体元件有效运作面积。

11.根据权利要求10所述的半导体元件，其特征在于，每一个第二孔洞是与相邻第二孔洞部分重叠。

12.根据权利要求10所述的半导体元件，其特征在于，每一个第二孔洞是与相邻第二孔洞分隔一段距离。

13.根据权利要求12所述的半导体元件，其特征在于，每一个第二孔洞的中心点和相邻第二孔洞的中心点的最短距离为至少20μm。

14.根据权利要求10所述的半导体元件，其特征在于，第二孔洞的中心点至该孔洞的边际界线的最短距离是小于20μm。