[发明专利]含有ZnO:Al窗口层的ZnO/SnS太阳能电池元件的制备方法无效
| 申请号: | 201010527713.5 | 申请日: | 2010-11-02 |
| 公开(公告)号: | CN102456768A | 公开(公告)日: | 2012-05-16 |
| 发明(设计)人: | 史伟民;武文军;周杰;黄璐;淤凡枫;马磊;聂磊 | 申请(专利权)人: | 上海大学 |
| 主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;C23C14/35 |
| 代理公司: | 上海上大专利事务所(普通合伙) 31205 | 代理人: | 顾勇华 |
| 地址: | 200444*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 含有 zno al 窗口 sns 太阳能电池 元件 制备 方法 | ||
1.一种含有ZnO:Al窗口层的ZnO/SnS太阳能电池元件的制备方法,其特征在于具有以下的过程和步骤:
a. 涂有掺铝氧化铟(ITO)膜的玻璃衬底的清洗:
首先将作为衬底用的涂复有掺锡氧化铟(ITO)的玻璃用去离子水、丙酮、无水乙醇分别在超声条件下进行清洗,烘干后待用;
b. 窗口层ZnO:Al的镀覆:
在上述的涂覆有ITO膜的玻璃衬底上镀覆一层掺铝氧化锌(ZnO:Al)层作为窗口层;采用传统常用的磁控溅射镀膜机通过磁控溅射法来制备法来制备ZnO:Al薄膜;将上述玻璃衬底放在工作台上,以ZnO:Al作为靶才;采用的磁控溅射的工艺参数如下:溅射功率为100W~200W,工作真空气压为0.3~0.9 Pa,温度为室温,溅射时间为为40~120分钟靶基距为8cm。
c. 作为N层的ZnO层的制备:
采用同样的传统常用的磁控溅射镀膜机通过磁控溅射法来制备法来制备ZnO薄膜;ZnO层镀覆在上述窗口层ZnO:Al层的上面;其工艺参数为:工作气压为0.2Pa,沉积时间为40分钟、功率为150W。
d. 作为P层(SnS)硫化锌层的制备:
SnS层涂覆于上述作为N层ZnO层的上面;其涂覆方法如下;在SnCl2·2H2O丙酮溶液中加入其一半体积的三乙醇胺(TEA)溶液,搅拌均匀后,在倒入适量的硫代乙酰胺(TA)溶液,最后加入适量浓度为25%的氨水,加去离子水稀释,轻搅拌混合得到的涂覆溶液;将镀膜玻璃衬底浸于该涂覆液中,用化学水浴法涂上SnS薄膜
e. 最上层Al膜电极的制备:
用传统通用方法,覆盖一层铝薄膜;最终制的多层结构为: 玻璃/ITO/ZnO:Al/ZnO/SnS/Al结构的太阳能电池元件。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





