[发明专利]透明导电薄膜及其制备方法

权利要求书

1.一种透明导电薄膜的制备方法，其特征在于，包括下述步骤(1)：

(1)在有氩气存在的压强为0.5～3Pa的气体环境中，在温度为200～300℃的预设有阻挡层的衬底上磁控溅射掺杂氧化锌，形成厚度为800～1200nm的透明导电薄膜，所述掺杂氧化锌为掺铝氧化锌、掺镓氧化锌或铝镓共掺氧化锌，掺铝氧化锌时，三氧化二铝的掺杂浓度为0.5-2wt％；掺镓氧化锌时，三氧化二镓的掺杂浓度为1-5wt％；铝镓共掺氧化锌时，三氧化二铝的掺杂浓度为0.3-2wt％，三氧化二镓的掺杂浓度为0.5-5wt％。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述压强为0.8～1.5Pa，所述温度为260～290℃，掺铝氧化锌时，三氧化二铝的掺杂浓度为0.6-1.2wt％；掺镓氧化锌时，三氧化二镓的掺杂浓度为1.5-3wt％；铝镓共掺氧化锌时，三氧化二铝的掺杂浓度为0.3-1.2wt％，三氧化二镓的掺杂浓度为0.5-2wt％。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)如下：

(1)在压强为1Pa的氩气环境中，在260℃的预设有阻挡层的衬底上利用三氧化二铝的掺杂浓度为1％的掺铝氧化锌磁控溅射形成厚度为800～1200nm的透明导电薄膜。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)如下：

(1)在压强为1.1Pa的氩气环境中，在280℃的预设有阻挡层的衬底上利用三氧化二铝的掺杂浓度为1％的掺铝氧化锌磁控溅射形成厚度为800～1200nm的透明导电薄膜。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)如下：

(1)在压强为1Pa的氩气环境中，在280℃的预设有阻挡层的衬底上利用三氧化二铝的掺杂浓度为0.8％的掺铝氧化锌磁控溅射形成厚度为800～1200nm的透明导电薄膜。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的制备方法，其特征在于，还包括下述步骤(2)：

(2)将步骤(1)中得到的厚度为800～1200nm的透明导电薄膜进行刻蚀，得到厚度为500～800nm的绒面透明导电薄膜。

7.利用权利要求1～5中任一项所述的制备方法得到的透明导电薄膜，其特征在于，电阻率小于等于8×10^-4Ω·cm，对波长为380-760nm的光的透过率大于等于81％，对波长为780-1100nm的光的透过率大于等于78％。

8.利用权利要求6所述的制备方法得到的绒面透明导电薄膜，其特征在于，雾度大于等于35％，电阻率小于等于1×10^-3Ω·cm，对波长为380-760nm的光的透过率大于等于81％，对波长为780-1100nm的光的透过率大于等于80％。

9.一种复合结构，其特征在于，在衬底上依次设置阻挡层和权利要求8所述的绒面透明导电薄膜。

10.一种太阳电池，其特征在于，使用权利要求8所述的绒面透明导电薄膜作为前电极。