[发明专利]内存供电控制电路

权利要求书

1.一种内存供电控制电路，包括具有若干内存的内存模块及用于调整给该内存模块供电电流的多相PWM控制器，其特征在于：该内存供电控制电路还包括一控制器及一相位切换电路，该控制器与该内存模块相连，用于判断该内存模块需要电流的大小并根据判断结果输出若干相位切换控制信号给该相位切换电路，该相位切换电路根据该相位切换控制信号对应控制该多相PWM控制器上若干相位的启闭。

2.如权利要求1所述的内存供电控制电路，其特征在于：该控制器为BMC或BIOS芯片。

3.如权利要求1所述的内存供电控制电路，其特征在于：该控制器是通过该内存模块内的SPD芯片获知该内存模块需要电流的大小的。

4.如权利要求1所述的内存供电控制电路，其特征在于：该相位切换电路包括若干子相位切换电路，该子相位切换电路的数量与该相位切换控制信号的数量相同且比该多相PWM控制器相位引脚的数量少一个，且每一子相位切换电路连接在对应一相位切换控制信号及该多相PWM控制器对应的一相位引脚之间。

5.如权利要求4所述的内存供电控制电路，其特征在于：每一子相位切换电路包括第一至第三电开关、一第一电阻及一第二电阻，该第一电开关及第三电开关的第一端均连接至该控制器以接收对应的一相位切换控制信号，该第一电开关及第三电开关的第二端均接地，该第一电开关的第三端连接至该第二电开关的第一端还通过该第一电阻连接至一第一电压端，该第二电开关的第二端连接至该第三电开关的第三端及该多相PWM控制器对应的一相位引脚，该第二电开关的第三端通过该第二电阻连接至一第二电压端，该第一至第三电开关的第一端为高电平时导通，该第一至第三电开关的第一端为低电平时截止。

6.如权利要求5所述的内存供电控制电路，其特征在于：该第一至第三电开关均为N沟道场效应晶体管，第一至第三端分别对应栅极、源极、漏极。