[发明专利]薄膜太阳能电池背电极有效

申请号：	201010523713.8	申请日：	2010-10-28
公开（公告）号：	CN102024857A	公开（公告）日：	2011-04-20
发明（设计）人：	叶志高;郝芳;吴兴坤;曹松峰	申请（专利权）人：	杭州天裕光能科技有限公司
主分类号：	H01L31/0224	分类号：	H01L31/0224
代理公司：	杭州宇信知识产权代理事务所(普通合伙) 33231	代理人：	张宇娟
地址：	310018 浙江省杭州市***	国省代码：	浙江;33
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摘要：
搜索关键词：	薄膜太阳能电池电极
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【权利要求书】：

1.一种薄膜太阳能电池背电极，其特征在于：其是由下列五层薄膜组成的复合层，依次为第一Y:ZNO层、第一Ag层、第二Y:ZNO层、第二Ag层和X层，所述第一Y:ZNO层和第二Y:ZNO层均为掺杂了3价元素的ZnO薄膜层，其中3价元素的掺杂量(重量百分比)小于等于15％而大于0，第一Y:ZNO层和第二Y:ZNO层的厚度均大于0nm小于等于50nm，所述的X层为金属薄膜层，所述第二Ag层的厚度大于第一Ag层。

2.如权利要求1所述的一种薄膜太阳能电池背电极，其特征在于：所述第一Ag层的厚度小于等于20nm大于0nm，所述第二Ag层的厚度大于等于150nm

3.如权利要求1所述的一种薄膜太阳能电池背电极，其特征在于：所述的Y:ZNO层厚度小于等于40nm大于等于20nm。

4.如权利要求1所述的一种薄膜太阳能电池背电极，其特征在于：所述的Y:ZNO层中3价元素元素的掺杂量(重量百分比)为0.5％-15％。

5.如权利要求1所述的一种薄膜太阳能电池背电极，其特征在于：所述的3价元素为In、Ga、Al元素中的一种。

6.如权利要求1所述的一种薄膜太阳能电池背电极，其特征在于：所述的第一Ag层的厚度为4nm-20nm。

7.如权利要求1所述的一种薄膜太阳能电池背电极，其特征在于：所述的第二Ag层的厚度为150nm-300nm。

8.如权利要求1所述的一种薄膜太阳能电池背电极，其特征在于：金属薄膜层是不易被空气氧化且导电性好的金属薄膜层。

9.如权利要求1或10所述的一种薄膜太阳能电池背电极，其特征在于：所述的金属薄膜层为Ti、Ni、Al中的一种金属薄膜层。

10.如权利要求1或10所述的一种薄膜太阳能电池背电极，其特征在于：所述的金属层薄膜层的厚度为10nm-30nm。

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