[发明专利]用来进行数据整形的方法以及其记忆装置及控制器

说明书

技术领域

本发明涉及于闪存(Flash Memory)的存取(Access)，更具体地说，涉及一种用来进行数据整形(Data Shaping)的方法以及相关的记忆装置及其控制器。

背景技术

近年来由于闪存的技术不断地发展，各种可携式记忆装置(例如：符合SD/MMC、CF、MS、XD标准的记忆卡)或具备闪存的固态硬盘(Solid State Drive，SSD)被广泛地实施于诸多应用中。因此，这些记忆装置中的闪存的存取控制遂成为相当热门的议题。

以常用的NAND型闪存而言，其主要可区分为单阶细胞(Single Level Cell，SLC)与多阶细胞(Multiple Level Cell，MLC)两大类的闪存。单阶细胞闪存中的每个被当作记忆单元的晶体管只有两种电荷值，分别用来表示逻辑值0与逻辑值1。另外，多阶细胞闪存中的每个被当作记忆单元的晶体管的储存能力则被充分利用，采用较高的电压来驱动，以透过不同级别的电压在一个晶体管中记录两组(或以上)位信息(00、01、11、10)；理论上，多阶细胞闪存的记录密度可以达到单阶细胞闪存的记录密度的两倍，这对于曾经在发展过程中遇到瓶颈的NAND型闪存的相关产业而言，是非常好的消息。

相较于单阶细胞闪存，由于多阶细胞闪存的价格较便宜，并且在有限的空间里可提供较大的容量，故多阶细胞闪存很快地成为市面上的可携式记忆装置竞相采用的主流。然而，多阶细胞闪存的不稳定性所导致的问题也一一浮现。为了确保记忆装置对闪存的存取控制能符合相关规范，闪存的控制器通常备有某些管理机制以妥善地管理数据的存取。

依据相关技术，有了这些管理机制的记忆装置还是有不足之处。举例来说，使用者可能基于其使用习惯而不断地写入具有某些特定数据型样的数据，而这些特定数据型样特别容易造成错误(例如：写入错误、读取错误...等)；虽然在记忆装置中设置有随机函数发生器(Randomizer)来调整数据以期解决这样的问题，却由于传统的低成本设计，以致调整后的数据不够随机。另外，一旦闪存的数据储存样态有特定的限制，可能发生硬件资源不足与增加成本之间的取舍(Trade-off)的问题。因此，需要一种新颖的方法针对该控制器所存取的数据来进行妥善的数据型样管理，以减少错误的发生。

发明内容

本发明要解决的技术问题在于，针对现有技术的上述在多阶细胞闪存中不断地写入特定数据型样的数据时易造成错误的缺陷，提供一种用来进行数据整形(Data Shaping)的方法以及相关的记忆装置及其控制器，以解决上述问题。

本发明的另一目的在于提供一种用来进行数据整形的方法以及相关的记忆装置及其控制器，以抑制数据错误。

本发明的另一目的在于提供一种用来进行数据整形的方法以及相关的记忆装置及其控制器，以便在可供用来进行数据整形的整形码(Shaping Code)的数量甚多的状况下，仍可以迅速地筛选适用的整形码，且不需要实施庞大的硬件架构。

本发明解决其技术问题所采用的技术方案之一是：构造一种用来进行数据整形的方法，该方法应用于一闪存(Flash Memory)的控制器，该闪存包含多个区块，该方法包含有：依据原始数据与多个整形码进行一写入最佳化(Program Optimization)运作，以产生对应于一格子图(Trellis Diagram)的追溯(Trace Back)信息作为旁信息(Side Information)；以及依据该旁信息动态地选择该些整形码中的至少一整形码，以对该原始数据进行数据整形。

上述本发明所述的方法，其中该格子图的各级(Stage)中的每一级包含多个子路径；以及每一级的该些子路径分别代表该些整形码。

上述本发明所述的方法，其中依据该原始数据与该些整形码进行该写入最佳化运作以产生对应于该格子图的追溯信息作为该旁信息的步骤另包含：

寻找该格子图中的一最佳化路径，并产生该最佳化路径中相对于各级的各个子路径的子路径追溯信息作为该旁信息的至少一部分，其中该最佳化路径的终点为该格子图的最后一级的各个结果状态中的一最佳状态，且该旁信息包含代表该最佳状态的终点信息。

上述本发明所述的方法，其中依据该原始数据与该些整形码进行该写入最佳化运作以产生对应于该格子图的追溯信息作为该旁信息的步骤另包含：