[发明专利]一种3GPP LTE中的解速率匹配装置和方法无效

专利信息
申请号: 201010522379.4 申请日: 2010-10-22
公开(公告)号: CN101986584A 公开(公告)日: 2011-03-16
发明(设计)人: 张秀丽;唐杉;许彤;石晶林 申请(专利权)人: 中国科学院计算技术研究所
主分类号: H04L1/00 分类号: H04L1/00
代理公司: 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 代理人: 王勇
地址: 100190 北*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 gpp lte 中的 速率 匹配 装置 方法
【权利要求书】:

1.一种3GPP LTE中的turbo编码信道并行解速率匹配装置,包括:

输入缓存RAM,用于缓存输入数据;

解重发模块,用于解交织操作之前对输入缓存RAM中发送的数据进行合并并写回输入缓存RAM;

输入缓存RAM读控制器和比特分离装置,用于从输入缓存RAM中分离系统码和校验码,在输出过程中完成填充比特的恢复,恢复的比特数据直接写入解交织RAM,并且在打孔模式下完成解打孔操作;

解交织RAM写控制器,用于进行并行4个符号的写解交织RAM操作,并行写入的过程中对解交织RAM的列地址作偏移;

解交织RAM读控制器,用于读取解交织RAM,并且所读取的数据均是并行4个符号的读操作;

解交织RAM,划分成M*M个子RAM,用于按照所述解交织RAM写控制器生成的地址来缓存所述输入缓存RAM读控制器和比特分离装置输出的数据,然后按照所述解交织RAM读控制器生成的地址读出数据,完成解交织。

2.权利要求1所述的装置,其中,输入缓存RAM采用的宽度为8个符号,深度为G/8。

3.权利要求1所述的装置,其中,所述解重发模块最大并行时一次读写8个符号,在输入缓存RAM输出时完成数据的合并,然后将合并结果写回到输入缓存RAM。

4.权利要求1所述的装置,其中,所述输入缓存RAM读控制器和比特分离装置用于从输入缓存RAM中的相应地址取数,经过解打孔处理后按照先系统码后校验码的顺序输出,并给出读写控制信号。

5.权利要求4所述的装置,其中,所述输入缓存RAM读控制器和比特分离装置采用不连续的读输入缓存RAM而连续写解交织RAM的方式。

6.权利要求1所述的装置,其中,所述解交织RAM包括三组相互独立的子块解交织RAM,用于分别存放处理完毕的S、P1和P2数据流。

7.权利要求6所述的装置,其中,所述子块解交织RAM的地址总深度为6172,宽度为1个符号。

8.权利要求1所述的装置,其中,所述解交织RAM写控制器对于所述输入缓存RAM读控制器和比特分离装置输出的前D个符号,控制写入子块解交织RAM S,对于所述输入缓存RAM读控制器和比特分离装置输出的后2D个符号,间隔写入子块解交织RAM P1和P2,其中,D为数据流解交织后的长度。

9.权利要求8所述的装置,其中,所述解交织RAM写控制器将生成的写地址反馈给所述输入缓存RAM读控制器和比特分离装置,用于后者填充比特的恢复操作。

10.权利要求1所述的装置,其中,所述解交织RAM读控制器用于产生解交织RAM的读地址,包括:

当系统码和校验码全部写入解交织RAM中,产生读使能信号,使得三个解交织RAM同时并行输出解交织后的数据给外部turbo解码器;

读取解交织RAM,每次并行读4个数;根据解交织RAM写控制器的生成地址,得到解交织子RAM的4个并行片选信号和读地址;

对于系统码和校验信息1,每个时钟周期直接读出4个符号;对于校验信息2,每次读出的4个符号中的前三个和寄存器中的符号组成新的4个并行符号输出,而每次读出的4个符号中的最后一个寄存在寄存器中作为下个时钟周期输出时用。

11.一种3GPP LTE中的turbo编码信道并行解速率匹配方法,包括:

步骤10)、输入数据存储到输入缓存RAM中;

步骤20)、在解重发模式下,解重发模块读出输入缓存RAM中的数据完成合并后写回输入缓存RAM;

步骤30)、输入缓存RAM读控制器和比特分离装置读出输入缓存RAM中的数据完成数据的比特分离和解打孔操作;

步骤40)、比特分离的数据通过解交织RAM写控制器写入解交织RAM,再由解交织RAM读控制器读出,完成解交织操作。

12.权利要求11所述的方法,其中,步骤20)中,解重发模块最大并行时一次读写8个符号,在输入缓存RAM输出时完成数据的合并,然后将结果写回到输入缓存RAM。

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