[发明专利]图像拾取装置和图像拾取系统有效
| 申请号: | 201010520779.1 | 申请日: | 2007-03-06 |
| 公开(公告)号: | CN101976674A | 公开(公告)日: | 2011-02-16 |
| 发明(设计)人: | 冲田彰;樋山拓己;三岛隆一;浦朝子 | 申请(专利权)人: | 佳能株式会社 |
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/335 |
| 代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 屠长存 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 图像 拾取 装置 系统 | ||
1.一种图像拾取装置,包括:
设置在半导体衬底上的多个光电转换元件;
设置在该半导体衬底上的多个布线层;
第一绝缘层,覆盖所述多个布线层中的顶部布线层,并且具有平坦的上表面;
设置在该第一绝缘层上的钝化层;
设置在钝化层上的第二绝缘层,
设置在第一绝缘层和钝化层之间的第一防反射膜;以及
设置在第二绝缘层和钝化层之间的第二防反射膜。
2.根据权利要求1所述的图像拾取装置,其中钝化层的折射率与第一绝缘层的折射率不同,并且钝化层的折射率与第二绝缘层的折射率不同。
3.根据权利要求1所述的图像拾取装置,还包括滤色器。
4.根据权利要求3所述的图像拾取装置,还包括微透镜。
5.根据权利要求1所述的图像拾取装置,其中
第一防反射膜和第二防反射膜的折射率彼此相等,并且
第一防反射膜和第二防反射膜的膜厚度彼此相等。
6.根据权利要求1所述的图像拾取装置,其中第一防反射膜和第二防反射膜中的至少一个包括多个膜。
7.根据权利要求1所述的图像拾取装置,其中
钝化层的折射率比第一绝缘层和第二绝缘层的折射率高;
当第一防反射膜的膜厚度和折射率分别用d1和n1表示,第二防反射膜的膜厚度和折射率分别用d2和n2表示,而且三基色荧光灯的绿色和红色明线的平均波长用λ1表示时,第一和第二防反射膜的膜厚度和折射率在以下范围内:
λ1/4≤2n1d1≤3λ1/4,并且
λ1/4≤2n2d2≤3λ1/4。
8.根据权利要求1所述的图像拾取装置,其中从光电转换元件的光接收单元的顶部到第一绝缘层的上表面的厚度的变化等于或大于入射光波长的六分之一。
9.根据权利要求1所述的图像拾取装置,其中所述平坦的上表面是通过CMP方法获得的。
10.根据权利要求1所述的图像拾取装置,其中钝化层包括氮化硅膜。
11.根据权利要求10所述的图像拾取装置,其中第一防反射膜包括第一氮化氧化硅膜,第二防反射膜包括第二氮化氧化硅膜。
12.根据权利要求11所述的图像拾取装置,其中第一氮化氧化硅膜和第二氮化氧化硅膜的厚度彼此相等。
13.一种图像拾取系统,包括:
根据权利要求1所述的图像拾取装置;以及
用于对来自该图像拾取装置的输出信号进行处理的信号处理电路。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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