[发明专利]一种高阻硅的电阻率测试方法

权利要求书

1.一种高阻硅的电阻率测试方法，其特征在于，包含以下步骤：

(1)将数控恒流源与直排四探针中的探针1和探针4相连接，测试设备与所述直排四探针中的探针2和探针3相连接；

(2)将所述数控恒流源开机预热30分钟；

(3)处理待测硅晶体的表面：喷砂去除所述待测硅晶体表面的玷污和表面氧化层，再用酒精将所述待测硅晶体擦净；

(4)在无光照的环境中，调节室温和相对湿度，并且将经处理的所述待测硅晶体放置于测试台上；

(5)调整所述直排四探针的高度使其与所述待测硅晶体相压合，此时所述数控恒流源通过所述探针1和所述探针4向所述待测硅晶体输出测试电流，其中所述测试电流的数值与所述直排四探针的探针系数相等；

(6)向所述测试设备中输入所述待测硅晶体的类型、厚度、室温以及相对湿度，经所述测试设备分析后开始测试；

(7)待测试完成后，所述测试设备将所有测试点的数据以电子表格的形式输出。

2.如权利要求1所述的高阻硅的电阻率测试方法，其特征在于，步骤(6)中所述室温在21～25℃之间，所述相对湿度≤65%。