[发明专利]纳米晶体器件编程/擦除的方法无效
| 申请号： | 201010519468.3 | 申请日： | 2010-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN102034539A | 公开（公告）日： | 2011-04-27 |
| 发明（设计）人： | 王永;曹子贵;张博;孔蔚然 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/02 | 分类号： | G11C16/02;G11C16/34 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 纳米 晶体 器件 编程 擦除 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种纳米晶体器件编程/擦除的方法，其特征在于，所述纳米晶体器件的编程控制电压或者擦除控制电压幅值渐变升高。
2.如权利要求1所述的纳米晶体器件编程/擦除的方法，其特征在于，所述纳米晶体器件的编程控制电压或者擦除控制电压幅值呈阶梯状渐变升高。
3.如权利要求1所述的纳米晶体器件编程/擦除的方法，其特征在于，所述纳米晶体器件的编程控制电压或者擦除控制电压幅值线性渐变升高。
4.如权利要求1到3中任意一项所述的纳米晶体器件编程/擦除的方法，其特征在于，所述纳米晶体器件为纳米晶体存储器。
5.如权利要求1到3中任意一项所述的纳米晶体器件编程/擦除的方法，其特征在于，所述纳米晶体为半导体或金属纳米晶。
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