[发明专利]二维镜像综合孔径辐射成像方法有效
| 申请号: | 201010518365.5 | 申请日: | 2010-10-22 |
| 公开(公告)号: | CN101975947A | 公开(公告)日: | 2011-02-16 |
| 发明(设计)人: | 李青侠;陈柯;陈良兵;郭伟;胡飞 | 申请(专利权)人: | 华中科技大学 |
| 主分类号: | G01S13/90 | 分类号: | G01S13/90 |
| 代理公司: | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人: | 李智 |
| 地址: | 430074 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 二维 综合 孔径 辐射 成像 方法 | ||
1.一种基于共面天线阵列的综合孔径辐射成像方法,包括以下步骤:
(1)设立两个垂直于被测场景的反射面,使得被测场景的辐射信号通过四个路径被天线阵列接收,其中第一路径为辐射信号直接被天线阵列接收,第二路径为辐射信号经过第一反射面反射被天线阵列接收,第三路径为辐射信号经过第二反射面反射被天线阵列接收,第四路径为辐射信号依次经过第一反射面、第二反射面反射被天线阵列接收;
(2)天线阵列中每根天线对来自四个路径的辐射信号进行加和,并通过模数转换得到数字辐射信号;
(3)计算两两天线的相关输出Rij=E[bibj],E[bibj]表示第i与第j根天线的数字辐射信号乘积,并构建相关输出Rij与余弦可见度CV()的关系方程
Rij=CV(xj-xi,yj-yi)-CV(xj-xi,yj+yi)-CV(xj+xi,yj-yi)+CV(xj+xi,yj+yi);
其中,xi,xj分别为第i和j根天线与第一反射面的间距,yi,yj分别为第i和j根天线与第二反射面的间距;
(4)改变天线阵列或者反射面位置,重复步骤(2)和(3)构建更多的相关输出Rij与余弦可见度CV()的关系方程,联立求解得到各方程式中的余弦可见度CV();
(5)重建场景亮温图像um=mΔu,vn=nΔv,Δs=ΔuΔv,
其中,表示场景在θ,方位上的亮温,θ表示辐射信号与天线阵列平面法线的夹角,表示辐射信号在天线阵列平面上的投影与天线阵列横向的夹角,Δu,Δv分别表示天线阵列在横向和纵向上的相邻天线以天线阵列工作波长为单位的最小间距;正整数M,N取值保证CV(um,vn),m=1,2L M,n=1,2L N能在步骤(4)的求解结果中查询到。
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