[发明专利]一种连续制备晶体硅太阳能电池PN结及减反膜的方法

权利要求书

1.一种连续制备晶体硅太阳能电池PN结及减反膜的方法，其特征是，该方法为：

采用低温等离子体增强化学气相沉积工艺在经过表面织构化的P型硅片上沉积一层磷掺杂的氮化硅减反膜，然后对该P型硅片进行退火处理而使得氮化硅层的磷扩散到P型硅片中，并在硅片表面获得一层N型层，最终形成PN结。

2.根据权利要求1所述连续制备晶体硅太阳能电池PN结及减反膜的方法，其特征是，所述低温等离子体增强化学气相沉积工艺中的反应气体为硅烷，氨气和磷烷，磷烷与硅烷的体积流量比为1:20—100，硅烷与氨气的体积流量比为1:5—12，反应室压强在40Pa—400Pa；氮化硅薄膜厚度为50纳米—200纳米，氮化硅薄膜中磷原子质量百分比含量为1%—12%。

3.根据权利要求1所述连续制备晶体硅太阳能电池PN结及减反膜的方法，其特征是，所述退火温度600℃—1000℃，退火时间10分钟—60分钟。

4.一种连续制备晶体硅太阳能电池PN结及减反膜的方法，其特征是，该方法为：

采用低温等离子体增强化学气相沉积工艺在经过表面织构化的N型硅片上沉积一层硼掺杂的氮化硅减反膜，然后对该N型硅片进行退火处理而使得氮化硅层的硼扩散到N型硅片中，并在硅片表面获得一层P型层，最终形成PN结。

5.根据权利要求4所述连续制备晶体硅太阳能电池PN结及减反膜的方法，其特征是，所述低温等离子体增强化学气相沉积工艺中的反应气体为硅烷，氨气和硼烷，硼烷与硅烷的体积流量比为1:50—200，硅烷与氨气的体积流量比为1:5—12，反应室压强在40Pa—300Pa；氮化硅薄膜厚度为50纳米—200纳米，氮化硅薄膜中硼原子质量百分比含量为1%—8%。

6.根据权利要求4所述连续制备晶体硅太阳能电池PN结及减反膜的方法，其特征是，所述退火温度700℃—1100℃，退火时间15分钟—70分钟。