[发明专利]非易失性存储器的写入方法及使用此方法的控制器

权利要求书

1.一种用于非易失性存储器的写入方法，其中该非易失性存储器为一多层存储单元与非闪速存储器，并且该非易失性存储器的区块中分别包括一上页与一下页，该写入方法包括：

在部分的所述区块中仅使用下页来写入数据，

其中所述下页的写入速度快于所述上页的写入速度。

2.如权利要求1所述的用于非易失性存储器的写入方法，还包括仅使用每一区块的下页来写入该数据。

3.如权利要求1所述的用于非易失性存储器的写入方法，该数据包括逻辑物理对映表、暂存快取文件、文件配置表、固件码与记录坏块的坏块表、管理坏块取代的取代单元表、存储固件参数的Info Block及存储变量的VT的至少其中之一。

4.如权利要求1所述的用于非易失性存储器的写入方法，还包括建立一页查询表，其用以记录所述下页的物理地址。

5.如权利要求1所述的用于非易失性存储器的写入方法，还包括建立一逻辑转换式，用以计算所述下页的物理地址。

6.如权利要求1所述的用于非易失性存储器的写入方法，其中所述部分的区块为多个暂存区块，所述暂存区块用作为一替换区的多个区块的一暂存区。

7.一种用于非易失性存储器的写入方法，其中该非易失性存储器为一多层存储单元与非闪速存储器，并且该非易失性存储器的区块中分别包括至少两种不同写入速度的页，该写入方法包括：

在至少其中一个所述区块中仅使用写入速度最快的页来写入数据。

8.一种控制器，其适用于一存储装置，该存储装置的一非易失性存储器为一多层存储单元与非闪速存储器，并且该非易失性存储器中的区块分别包括一上页与一下页，该控制器包括：

一微处理单元，用以控制该控制器的整体运作；

一非易失性存储器接口，电连接至该微处理单元并且用以存取该非易失性存储器；

一缓冲存储器，电连接至该微处理单元并且用以暂时地存储数据；以及

一存储器管理模块，电连接至该微处理单元并且用以管理该非易失性存储器，其中该存储器管理模块会执行一写入方法，该写入方法包括：

在部分的所述区块中仅使用下页来写入数据，

其中所述下页的写入速度快于所述上页的写入速度。

9.如权利要求8所述的控制器，还包括仅使用每一区块的下页来写入该数据。

10.如权利要求8所述的控制器，该数据包括逻辑物理对映表、暂存快取文件、文件配置表、固件码与记录坏块的坏块表、管理坏块取代的取代单元表、存储固件参数的Info Block及存储变量的VT的至少其中之一。

11.如权利要求8所述的控制器，还包括建立一页查询表，其用以记录所述下页的物理地址。

12.如权利要求8所述的控制器，还包括建立一逻辑转换式，用以计算所述下页的物理地址。

13.如权利要求8所述的控制器，其中所述部分的区块为多个暂存区块，所述暂存区块用作为一替换区的多个区块的一暂存区。

14.一种控制器，其适用于一存储装置，该存储装置的一非易失性存储器为一多层存储单元与非闪速存储器，并且该非易失性存储器的区块中分别包括至少两种不同写入速度的页，该控制器包括：

一微处理单元，用以控制该控制器的整体运作；

一非易失性存储器接口，电连接至该微处理单元并且用以存取该非易失性存储器；

一缓冲存储器，电连接至该微处理单元并且用以暂时地存储数据；以及

一存储器管理模块，电连接至该微处理单元并且用以管理该非易失性存储器，其中该存储器管理模块会执行一写入方法，该写入方法包括：

在至少其中一个所述区块中仅使用写入速度最快的页来写入数据。