[发明专利]集成电路装置的制造方法

权利要求书

1.一种集成电路装置的制造方法，其特征在于其包括以下步骤：

提供一基板；

形成一物质层在该基板上；

形成一硬屏蔽图形在该物质层上；

形成多个间隙壁在该硬屏蔽图形的多个侧壁上，其中该硬屏蔽图形及上述间隙壁形成一组合硬屏蔽特征图样；以及

利用该组合硬屏蔽特征图样做为一刻蚀屏蔽，对该物质层进行图案化。

2.根据权利要求1所述的集成电路装置的制造方法，其特征在于形成上述间隙壁的步骤更包含：

形成一间隙壁层在该硬屏蔽图形及该基板上；以及

对该间隙壁层进行回蚀。

3.根据权利要求1所述的集成电路装置的制造方法，其特征在于该间隙壁层为一含碳层，上述间隙壁为碳氮化硅、碳化硅、碳氧化硅或其组合。

4.根据权利要求2所述的集成电路装置的制造方法，其特征在于该回蚀的步骤为一等离子体刻蚀。

5.根据权利要求1所述的集成电路装置的制造方法，其特征在于上述间隙壁具有一介于1纳米至6纳米的范围的宽度。

6.根据权利要求1所述的集成电路装置的制造方法，其特征在于该硬屏蔽图形具有一第一宽度且上述间隙壁具有一第二宽度，该第二宽度与该第一宽度的一比例介于1/30至1/5之间。

7.一种集成电路装置的制造方法，其特征在于其包括以下步骤：

提供一半导体基板；

形成一物质层在该半导体基板上；

形成一硬屏蔽层在该物质层上；

对该硬屏蔽层进行图案化，以形成一图案化特征图样；

形成多个间隙壁在该图案化特征图样的多个侧壁上，其中上述间隙壁及该图案化特征图样形成一组合硬屏蔽图形；以及

利用该组合硬屏蔽图形做为一刻蚀屏蔽，对该物质层进行图案化。

8.根据权利要求7所述的集成电路装置的制造方法，其特征在于该物质层为一栅电极层。

9.根据权利要求7所述的集成电路装置的制造方法，其特征在于上述间隙壁具有一介于1纳米至6纳米的范围的宽度。

10.根据权利要求7所述的集成电路装置的制造方法，其特征在于该硬屏蔽层为氧化硅、氮氧化硅或其组合。

11.根据权利要求7所述的集成电路装置的制造方法，其特征在于上述间隙壁为碳氮化硅、碳化硅、碳氧化硅或其组合。

12.一种集成电路装置的制造方法，其特征在于其包括以下步骤：

提供一半导体基板；

形成多个栅极物质层在该半导体基板上；

形成一硬屏蔽层在该栅极物质层上；

对该硬屏蔽层进行图案化，以形成一硬屏蔽图形；

形成一含碳的间隙壁层在该硬屏蔽图形及该半导体基板上，其中该含碳间隙壁层具有对一刻蚀过程的一高抗蚀性；

对该间隙壁层进行回蚀以形成多个间隙壁在该硬屏蔽图形的多个侧壁上，其中上述间隙壁及该间隙壁层形成一组合硬屏蔽图形；

利用该组合硬屏蔽图形做为一刻蚀屏蔽，对该栅极物质层进行刻蚀，以形成一栅极结构；

在该半导体基板进行一斜向离子注入；

在该半导体基板进行多个制造工艺，其中上述制造工艺包含刻蚀；以及

在该半导体基板进行一外延成长，以形成邻接于该栅极结构的一多晶层。

13.根据权利要求12所述的集成电路装置的制造方法，其特征在于该间隙壁层进行回蚀步骤为一等离子体刻蚀。