[发明专利]一种低功耗快恢复金属氧化物半导体二极管有效
| 申请号： | 201010515063.2 | 申请日： | 2010-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN101976687A | 公开（公告）日： | 2011-02-16 |
| 发明（设计）人： | 李泽宏;姜贯军;余士江;邓光平;李婷;谢加雄;张超;任敏;刘小龙;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/06 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 葛启函 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 功耗 恢复 金属 氧化物 半导体 二极管 | ||
1.一种低功耗快恢复金属氧化物半导体二极管，包括金属化阴极(1)、N+衬底区(2)、N-外延层(3)和金属化阳极(10)；金属化阴极(1)位于N+衬底区(2)背面，N-外延层(3)位于N+衬底区(2)正面；其特征在于，所述低功耗快恢复金属氧化物半导体二极管还包括一个结型场效应管区(4)和一个电子积累层结构(12)；所述结型场效应管区(4)由位于N-外延层(3)中相同深度的两个深P体区(5)和两个深P体区(5)之间的N-外延层(3)构成，两个深P体区(5)分别通过一个P型重掺杂区(6)与金属化阳极(10)相连；所述电子积累层结构(12)位于两个深P体区(5)上方的两个P型重掺杂区(6)之间的N-外延层(3)中，由两个N型重掺杂区(7)、一个栅氧化层(8)、栅电极(9)和N-外延层(3)构成；所述两个N型重掺杂区(7)与金属化阳极(10)相连；所述栅氧化层(8)位于两个N型重掺杂区(7)之间的N-外延层(3)表面，所述栅电极(9)位于栅氧化层(8)表面并与金属化阳极(10)相连。
2.根据权利要求1所述低功耗快恢复金属氧化物半导体二极管，其特征在于，所述电子积累层结构(12)中的栅氧化层(8)为薄栅氧化层，其厚度在5到100纳米之间。
3.根据权利要求1或2所述低功耗快恢复金属氧化物半导体二极管，其特征在于，所述电子积累层结构(12)中的栅氧化层(8)采用二氧化硅或其他栅介质材料制作；栅电极(9)采用多晶硅或其他栅电极材料制作。
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