[发明专利]用于薄膜晶体管的氧化物半导体薄膜及其制备方法

权利要求书

1.一种用于薄膜晶体管的氧化物半导体薄膜，其特征在于：该氧化物半导体薄膜材料成分为：(Al₂O₃)_x(Nd₂O₃)_y(In₂O₃)_z(ZnO)_(1-x-y-z)，其中，0＜x＜1，0＜y＜1，0＜z＜1，0＜1-x-y-z＜1，该氧化物半导体薄膜材料用于制作薄膜晶体管的有源层。

2.权利要求1所述的用于薄膜晶体管的氧化物半导体薄膜的制备方法，其特征在于包括以下的工艺步骤：

(1)靶材的制备：将摩尔百分比含量分别为x、y、z和(1-x-y-z)的Al₂O₃、Nd₂O₃、In₂O₃和ZnO粉末混合均匀，再经过铸浆或热压成型、烧结、机械加工、打磨形成靶材；

(2)溅射制备氧化物半导体薄膜：将靶材安装在溅射仪上，通过溅射方法制备用于薄膜晶体管的氧化物半导体薄膜，该氧化物半导体薄膜材料成分为：(Al₂O₃)_x(Nd₂O₃)_y(In₂O₃)_z(ZnO)_(1-x-y-z)，其中，0＜x＜0.1，0＜y＜1，0＜z＜1，0≤1-x-y-z＜1。

3.根据权利要求2所述的用于薄膜晶体管的氧化物半导体薄膜的制备方法，其特征在于：所述的热压成型是用200KN～350KN的压强压制成片。

4.根据权利要求2所述的用于薄膜晶体管的氧化物半导体薄膜的制备方法，其特征在于：所述的烧结是指在温度为800～1500℃烧结制成靶材。

5.根据权利要求2所述的用于薄膜晶体管的氧化物半导体薄膜的制备方法，其特征在于：所述溅射方法的条件：真空度为5.0x10^-4Pa～2.0x10^-1Pa，溅射功率为100～200W，氩气和氧气混合气体的流量分别为15～30sccm和0.5～2.5sccm。