[发明专利]发光器件封装和具有发光器件封装的光单元有效
| 申请号: | 201010513392.3 | 申请日: | 2010-10-15 |
| 公开(公告)号: | CN102130272A | 公开(公告)日: | 2011-07-20 |
| 发明(设计)人: | 金惠荣 | 申请(专利权)人: | LG伊诺特有限公司 |
| 主分类号: | H01L33/48 | 分类号: | H01L33/48;H01L33/62 |
| 代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 夏凯;谢丽娜 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 发光 器件 封装 具有 单元 | ||
技术领域
实施例涉及发光器件封装和具有发光器件封装的光单元。
背景技术
发光二极管(LED)是将电流转化为光的半导体发光器件。最近,LED的亮度已经增加,从而LED已经被用作用于显示装置、车辆、或者照明装置的光源。另外,LED能够通过采用磷或者组合具有各种颜色的LED来表现具有较高的光效率的白色。
为了增加LED的亮度和性能,已经对光提取结构、有源层的结构、电流扩散、电极的结构、以及发光二极管封装的结构进行了改进。
发明内容
实施例提供具有改进的光效率的发光器件封装和具有发光器件封装的光单元。实施例提供包括在包括导电材料的主体上的多个突起的发光器件封装和具有发光器件封装的光单元。
实施例提供包括从非导电层、电极突起的多个突起的发光器件封装,和具有发光器件封装的光单元。
实施例提供具有改进的可靠性的发光器件封装和光单元。
根据实施例,发光结构包括:封装主体,该封装主体包括导电材料;非导电层,该非导电层形成在封装主体的表面上;非导电层上的多个电极;从所述电极突起的多个突起;发光器件,该发光器件被安装到封装主体的平面并且被连接到电极;以及透射树脂组件,该透射树脂组件包封发光器件,其中除了发光器件位于的地方之外的至少封装主体的平面大体上是平的。
根据实施例,发光器件封装包括封装主体,该封装主体包括其中顶部开口的空腔,和导电材料;封装主体的表面上的非导电层,并且包括空腔中的多个突起;非导电层上跟随突起的轮廓的多个电极;以及发光器件,该发光器件被设置在空腔中并且被连接到电极,其中至少除了发光器件所位于的地方之外的空腔的底表面大体上是平的。
根据实施例,光单元包括多个发光器件封装;基板,该基板被布置在发光器件封装中;光学组件,该光学组件被设置在基板的一侧处并且包括导光板和光学片中的至少一个;以及盖,该盖覆盖光学组件和基板的外围部分,其中该发光器件封装包括封装主体,该封装主体包括导电材料;封装主体的表面上的非导电层;非导电层上的多个电极;从电极突起的多个突起;发光器件,该发光器件被连接到电极;以及透射树脂组件,该透射树脂组件包封发光器件。
附图说明
图1是示出根据第一实施例的发光器件封装的平面图;
图2是示出图1的发光器件封装的侧截面图;
图3是示出图2的电极层的详细截面图;
图4是示出根据第二实施例的发光器件封装的平面图;
图5是示出根据实施例的修改的突起的侧截面图;以及
图6是示出根据实施例的修改的突起的侧截面图。
图7是被设置有图1的发光器件封装的显示设备的分解透视图。
图8是示出被设置有图1的发光器件的显示设备的另一示例的示意性截面图。
图9是被设置有图1的发光器件封装的照明设备的透视图。
具体实施方式
在下面的描述中,将会理解的是,当层(或者膜)、区域、图案或结构被称为在另一基板、另一层(或膜)、另一区域、另一垫或另一图案“上”或“下”时,它能够“直接”或“间接”位于其它基板、层(或膜)、区域、垫或图案上,或者也可以存在中间层。已经参考附图描述层的这样的位置。
在下文中,将会参考附图描述实施例。在附图中,为了方便或澄清的目的而夸大、省略或者示意性地绘制附图中所示的每层的厚度和尺寸。而且,元件的尺寸没有完全反映实际尺寸。
图1是根据第一实施例的发光器件封装100的平面图,并且图2是沿着图1的线A-A截取的截面图。
参考图1和图2,发光器件封装100包括封装主体101、第一电极110、第二电极120、非导电层130、凹凸结构135、以及发光器件140。
封装主体101可以包括诸如晶圆级封装(WLP)的包括硅(Si)的导电晶圆。除了Si之外,封装主体101可以包括铝(Al)、氮化铝(AlN)、AlOx、光敏玻璃(PSG)、蓝宝石(Al2O3)、氧化铍(BeO)、印制电路板(PCB)或者各种树脂。在下文中,根据实施例,将会描述关于其中封装主体101包括在发光器件封装的散热效率和制造效率方面表现出较高性能的Si。
可以通过块蚀刻方案作为蚀刻工艺来蚀刻封装主体101。另外,作为蚀刻工艺,可以使用湿蚀刻方案、干蚀刻方案、以及激光钻孔方案。可以一起使用蚀刻方案当中的至少两个。可以采用深反应离子刻蚀方案作为干蚀刻方案的代表性方案。
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