[发明专利]集成电路结构

权利要求书

1.一种集成电路结构，包括：

一第一工件，择自一半导体芯片及一封装基材所组成的群组，其中该第一工件包含：

多个第一凸块下金属，分布于该第一工件的主要表面上；以及

多个第一金属凸块，其中每一第一金属凸块直接位于一个该第一凸块下金属上并与其电性连接，其中所述多个第一凸块下金属及所述多个第一金属凸块之间的配置具有一叠对补偿，且至少一部分的第一凸块下金属与其对应的所述第一金属凸块具有错位。

2.如权利要求1所述的集成电路结构，其中该叠对补偿包含尺寸补偿，所述多个第一金属凸块具有第一节距，及其所对应的第一凸块下金属具有与该第一节距不同的第二节距。

3.如权利要求1所述的集成电路结构，其中该叠对补偿包含旋转补偿，所述多个第一金属凸块配置于相对于所述多个第一凸块下金属有所旋转的位置。

4.如权利要求1所述的集成电路结构，其中靠近该第一工件中央的金属凸块与其下方所对应的所述第一金属凸块的错位较远离该第一工件中央的金属凸块大。

5.如权利要求1所述的集成电路结构，还包含：

一第二工件，其中该第二工件与该第一工件通过所述多个第一金属凸块接合，且其中该第二工件包含多个第二凸块下金属，且每一所述第二凸块下金属与一个所述第一金属凸块接合，

其中该第二工件还包含多个第二金属凸块，所述多个第二凸块下金属与所述多个第二金属凸块具有额外的叠对补偿，且每一第一金属凸块与其所对应的第二金属凸块对齐。

6.一种集成电路结构，包括：

一半导体芯片，包含多个第一凸块下金属分布于该半导体芯片的主要表面上；

一封装基材，包含多个第二凸块下金属分布于该封装基材的主要表面上；以及

多个含铜凸块，且每一含铜凸块通过焊接方式与所述多个第一凸块下金属或所述多个第二凸块下金属其中一者电性连接，并通过非焊接方式与另一者电性连接，且其中所述多个含铜凸块与所述多个第一凸块下金属或所述多个第二凸块下金属之间具有一叠对补偿。

7.如权利要求6所述的集成电路结构，其中该叠对补偿介于所述多个含铜凸块及所述多个第一凸块下金属之间或介于所述多个含铜凸块及所述多个第二凸块下金属之间。

8.如权利要求6所述的集成电路结构，还包含一额外的叠对补偿介于所述多个第一及第二凸块下金属两者的剩余未有叠对补偿者与所述多个含铜凸块之间。

9.一种集成电路结构，包括：

一半导体芯片及一封装基材，包含：

多个凸块下金属，分布于该半导体芯片的主要表面上；以及

多个金属凸块，其中至少一部分的多个凸块下金属与其下方所对应的金属凸块错位，且其中靠近该半导体芯片中央的金属凸块与其下方所对应的金属凸块的错位较远离该半导体芯片中央的金属凸块大。

10.如权利要求9所述的集成电路结构，其中所述多个金属凸块以一第一尺寸为节距分布，且所述多个凸块下金属以一不同于该第一尺寸的第二尺寸为节距分布。

11.如权利要求9所述的集成电路结构，其中所述多个金属凸块相对于所述多个凸块下金属有所旋转。