[发明专利]发光元件及其制法

说明书

技术领域

本发明涉及一种发光元件，尤其是涉及一种阵列式的发光元件。

背景技术

发光二极管(LED)的发光原理和结构与传统光源并不相同，具有耗电量低、元件寿命长、无需暖灯时间、反应速度快等优点，再加上其体积小、耐震动、适合量产，容易配合应用需求制成极小或阵列式的元件，在市场上的应用颇为广泛。例如，光学显示装置、激光二极管、交通号志、数据存储装置、通讯装置、照明装置、以及医疗装置等。

传统的阵列式发光二极管，如图1所示，包含一蓝宝石绝缘基板10、多个发光叠层12形成于蓝宝石绝缘基板10上，包含一p型半导体层121、一发光层122、以及一n型半导体层123。由于蓝宝石基板10不导电，因此在多个发光叠层12之间由蚀刻形成沟槽14后可使各发光叠层12彼此绝缘，另外再通过部分蚀刻多个发光叠层12至n型半导体层123，分别在n型半导体层123暴露区域以及p型半导体层121上形成一第一电极18以及一第二电极16。再通过金属导线19选择性连接多个发光叠层12的第一电极18及第二电极16，使得多个发光叠层12之间形成串联或并联的电路，其中金属导线19与p型半导体层121间具有一介电层17。此外，发光叠层12可通过金属气相沉积法(MOCVD)成长于蓝宝石绝缘基板10上。

发明内容

本发明的目的在于提供一种发光元件的制法，以解决上述问题。

为达上述目的，本发明提供一种发光元件的制法，其步骤包括：提供一第一基板，其上形成有以沟槽为间隔的多个发光叠层；以一液态的介电材料填入沟槽中及多个发光叠层上；以及进行一固化程序，以形成一介电结构，介电结构包括填充于沟槽中的一隔离部、及形成于多个发光叠层上的一介电层。

本发明提供一种发光元件，包括：一第二基板；多个发光叠层位于第二基板上；以及一介电结构，包括一介电层位于第二基板与多个发光叠层间，及一隔离部延伸自介电层且位于各发光叠层之间，其中隔离部的深度与宽度的比值大于等于0.8且小于等于3。

附图说明

图1是为现有技术的阵列式发光二极管示意图；

图2A至图2H是显示本发明发光元件第一实施例的制造流程图；

图3是显示本发明发光元件第二实施例的结构图；以及

图4是显示本发明发光元件第三实施例的结构图。

主要元件符号说明

蓝宝石绝缘基板10

发光叠层12

p型半导体层121

发光层122

n型半导体层123

沟槽14

金属导线19

发光元件200，300，400

第一基板202

蚀刻停止层201

第一半导体层204，304，404

发光层206

第二半导体层208

半导体叠层210

沟槽212

发光叠层214，314，414

第一电极205

第二电极207

第二基板218，318，418

金属导线220

介电结构216，316，416

隔离部216a，316a，416a

介电层216b，316b，416b

粘着层422

反射层322

透明导电层324

具体实施方式

请参阅图2A至图2F，其是显示本发明发光元件的制法的第一实施例。

步骤a：如图2A所示，首先提供一第一基板202，并在第一基板202上进行磊晶成长以形成一半导体叠层210，包括：形成一第一半导体层204于第一基板202上；形成一发光层206于第一半导体层204上；以及形成一第二半导体层208于发光层206上。其中第一半导体层204可掺杂为n型，而第二半导体层可掺杂为p型；或第一半导体层204可掺杂为p型，而第二半导体层可掺杂为n型。此外，在形成第一半导体层204前可选择性地先形成一蚀刻停止层201于第一基板202上。例如当后续欲进行湿式蚀刻制作工艺且磊晶种类为磷化铝镓铟(AlGaInP)系列时，蚀刻停止层201的材料可为磷化铟镓(InGaP)，然而当后续是进行干式蚀刻制作工艺时，可不形成蚀刻停止层201。

步骤b：如图2B所示，将第二半导体层208表面进行粗化。